2020年8月7日，北京大学吴燕庆教授受我院王超教授与王兴晟教授邀请于新光电信息大楼C111会议室作了题为“基于低维材料的高性能电子器件（High Performance Electronics Based on Low Dimensional Materials）”的学术讲座。光学与电子信息学院的老师和同学积极参加了本次讲座，C111会议室座无虚席。
在热烈的掌声中，王兴晟教授首先隆重介绍了本期讲座的嘉宾吴燕庆教授。吴燕庆教授主要从事关于后摩尔微纳器件，包括低维材料及异质结、柔性射频器件、光电器件、量子隧穿器件、功率器件与神经形态器件等方向的研究。在本次学术报告中，吴燕庆老师首先介绍了他在基于原子层状二维材料及相关异质结构的电子器件方面的研究所取得的成就。从载流子速度和工作频率两个方面研究了黑磷（BP）和二硫化钼的性能改善，展示了基于二硫化钼的高频晶体管以及工作在千兆赫兹范围内的高速电路，获得了最高振荡频率的记录。短沟道BP晶体管的空穴速度高达1.5x107cm/s，并预测了最终缩放沟道长度下接近弹道传输极限。此外，横向异质结的带隙工程已被应用于可重构逻辑操作的多功能性，显示出未来电子器件的巨大潜力。二维材料以其独特的电学性质和异质集成的可行性，为各种范德华异质结提供了前所未有的机遇。
之后，吴燕庆老师还展示了他在超薄氧化铟锡氧化物（ITO）在高性能电子器件中的应用方面的相关研究成果。基于4 nm的ITO超薄层和高质量的掺镧氧化铪介电体制造的短通道有源晶体管表现出了与现有金属氧化物和新兴的二维材料构建的器件相当的性能。ITO独特的宽带隙和低介电常数为先进低功率电子器件在5纳米范围内的扩展提供了前景。
报告结束后，老师与同学们同吴老师展开了激烈的讨论。活动结束后，光学与电子信息学院王兴晟老师为吴燕庆老师颁发了光电信息大讲堂纪念品并对吴燕庆老师亲自莅临我院作学术报告表示由衷的感谢。本次报告在师生们的热烈掌声中圆满结束。
吴燕庆，北京大学研究员。2009年在美国普渡大学获得博士学位。博士毕业后曾在IBM沃森研究中心担任研究员及华中科技大学教授。围绕后摩尔新材料电子器件与电路开展了多项原创性工作。近五年来作为通讯作者在包括Nature Electronics, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nature Communications, Science Advances等顶级国际学术期刊与IEDM在内的国际会议上发表论文50余篇。论文总他引次数超过5500余次，h因子31。应邀在多个国际会议上作邀请报告。
