旺宏集团2015校园学术宣讲会
宣讲会主题：闪存记忆体技术现况的发展与未来的展望
宣讲会时间：2015年4月14日19：00--20：30
宣讲会地点：华中科技大学南五楼613教室
演讲人：谢光宇博士
旺宏电子前瞻技术实验室 资深处长；
美国North Carolina State University, 材料科学博士；
闪存器件领域专家：发表135篇期刊论文及申请有85余项专利。
内容简介：
演讲的主轴将先由人类对数据记录的载具演化的过程切入，随即引出在这个云端科技热浪及海量数据的大世代的来临，以半导体材料所做成的闪存内存实为整个科技蓬勃发展的推手。
内存器件的尺寸微缩是促成高密度内存的手法，然而现今半导体工艺正面临二维空间微缩的窘境，转向三度空间的堆栈或是引入有别于硅材料的走向，已成为延续半导体内存工业生命的手则。
本演讲中将会对现况的闪存内存做报导之外同时也会对下一世代的闪存内存做前瞻性分析，其中包括3D 内存，相变化内存以及电阻式内存等等。演讲最后将会针对该技术未来的发展作一评估与展望。
公司简介：
旺宏电子为全球非挥发性内存整合组件领导厂商，提供跨越广泛规格及容量的ROM只读存储器、NOR型闪存以及NAND型闪存解决方案。旺宏电子以世界级的研发与制造能力，提供最高质量、创新及具备高性能表现的产品，以供客户应用于消费、通讯、计算机、汽车电子、网通及其它等领域。旺宏电子目前拥有超过四千五百项国际关键技术及专利等知识产权，与IBM等全球高科技业界领导厂商成立技术合作联盟，共同进行相变化闪存先驱技术的研究。也由于旺宏电子致力于自有技术的开发，拥有坚强技术基础，以致于顺利在年初与对手飞索在专利侵权官司中达成和解，双方专利交互授权，在未来的车用市场将可大展鸿图。
