根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对我校光学与电子信息学院甘棕松老师团队的“一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法等五项专利”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介
成果包含5项知识产权：
（1）发明专利：一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法
发明人：甘棕松，骆志军，刘亚男
专利号：ZL201910415063.6
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置及方法，该装置包括腔体、若干激光通孔、若干激光挡板、第一流体通孔、第二流体通孔、第一流体阀门、第二流体阀门和若干光发射结构，其中，所述第一流体通孔和所述第二流体通孔均贯通设置于所述腔体中，并用于向所述腔体中导入或导出超临界流体；所述光反射结构均设置于所述腔体的内壁上，用于引导入射激光进行方向变化。本发明通过引入超临界流体，可彻底去除光刻胶并避免了残留；同时，在超临界流体协同作用下，通过激光光刻三维微纳器件超临界流体显影装置可对微纳器件进行二维或三维的复杂结构设计。
（2）发明专利：一种投影式超分辨光学数据的写入/读出方法及装置
发明人：甘棕松
专利号：ZL202010488820.5
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种投影式超分辨光学数据的写入/读出方法及装置，属于光学数据存储领域。包括：选择一个存储介质和一种用于写入/读出的数据阵列格式；根据数据阵列格式向存储介质上单次投射出光斑图案，完成一个数据阵列的一次性写入/读出。投影出的光斑图案与数据阵列对应，一次投射就能将一个数据阵列全部写入/读出，仅需一次曝光时间，本发明可极大地提高写入/读出的速度。数据阵列格式所包含的内容越大，一次写入/读出的数据越多。因此，本申请可以应用于光刻、3D打印、三维微纳制造等(数据写入)各个领域，提高制造的速度；或应用在光学成像(数据读取)，例如STED显微成像等领域中，提高成像速度；或同时应用在数据存储的刻录及读取。
（3）发明专利：一种应用于双光束光刻的光束对准系统及方法
发明人：甘棕松，骆志军，刘亚男
专利号：ZL201910413229.0
专利权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种应用于双光束光刻的光束对准系统及方法，具体步骤包括：设置双光束对准系统；发射第一光束并调整所述物镜，使所述第一光束依次经第一二向色镜、第二二向色镜和所述物镜后到达上转换荧光片表面，调节探测单元的光路位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处；发射所述第一光束和第二光束，调节所述第二二向色镜的位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处；沿光路方向调节所述物镜的位置，至所述探测单元探测到的最强荧光信号处。本发明通过上转换荧光片激发反射的荧光信号强度来对准双光束焦点，使对准精度更高，且对准操作更为简洁迅速；同时，利用上转换荧光片的特性使成像的分辨率提高，进而使双光束对准更加准确。
（4）发明专利：一种双光束超分辨光学数据的写入/读出方法及装置
发明人：甘棕松，王端，刘紫玉
专利号：ZL202110350093.0
专利权人：华中科技大学
简介：本发明属于光学数据存储领域，更具体地，涉及一种双光束超分辨光学数据的写入/读出方法及装置。选择一个存储介质和一种用于写入/读出的数据阵列格式；将第一光源出射的第一读写光经过光路形成的第一光斑和第二光源出射的第二读写光经过光路形成的第二光斑在存储介质上发生部分重叠，重叠部分形成叠加光斑，以完成该数据阵列格式中的一个数据点或该数据阵列格式的一次性写入/读出；存储介质只有被所述第一光源和第二光源出射的两束光同时作用或先后作用后才能够发生性质的改变；若只有其中的一束光对该存储介质进行作用，其不能发生性质的改变；本发明采用利用双光束边缘光合并能量实现光学数据存储，提高分辨率，增大存储容量。
（5）发明专利：一种基于级联上转换的光敏材料及其制备方法
发明人：甘棕松，易琛琦，李诗硕
申请号：CN202510969076.3
申请权人：华中科技大学
简介：本发明公开了一种基于级联上转换的光敏材料及其制备方法，包括光聚合材料、钬镱稀土纳米粒子和三线态上转换材料；所述光聚合材料包括光引发剂和聚合单体；所述三线态上转换材料包括敏化剂和湮灭剂；所述聚合单体采用含有活性基团数量大于3的液态单体或低聚物。本发明通过光聚合材料、钬镱稀土纳米粒子和三线态上转换材料三者的协同作用，形成了一种全新的级联上转换模式，克服了传统铥镱纳米粒子上转换光聚合的弥散性，实现低功率、低成本和高精度的连续激光微纳结构加工。
二、拟交易价格
协议转让：50万元。
三、价格形成过程
学校委托评估公司对该项目进行资产评估，基于评估价参考，经全体发明人同意，并与武汉软盈信息技术有限公司协商，双方同意以协议定价50万元实施转让。
特此公示，公示期15日，自2026年7月3日起至2026年7月17日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。
联系人：尹老师、庄老师
联系电话：87558732
科学技术发展院
2026年7月3日
