2013年9月23日，受科技部委托，湖北省科技厅在汉组织了对我院缪向水教授承担的国家国际科技合作项目“忆阻器材料及原型器件研究（项目编号：2010DFA11050）”的验收工作。验收专家组由清华大学罗毅教授、上海交通大学李建华教授、中科院物理所韩秀峰研究员、湖北大学王浩教授、湖北省科技信息研究院张晓研究员、武汉理工大学黄志雄教授、广州市光机电技术研究院麦静惠高工组成。专家组审阅了项目有关材料、听取了项目负责人缪向水教授的汇报并现场考察了项目执行情况，经质询和充分讨论，该项目以全优的成绩通过了验收。
2008年惠普实验室在世界上首次物理实现忆阻器，华中科技大学联合新加坡数据存储国家研究院于2009年在国内率先开展了忆阻器材料及原型器件方面的研究。在三年科研攻关期间，项目组对忆阻器新材料、模拟设计、制备工艺、材料与器件性能的测试表征、机理分析和可能的应用等课题进行了深入的研究。首次制备出基于空间电荷限制导电机制的硫系化合物忆阻材料，并在此基础上以GeSbTe忆阻器件作为电子突触，实现了四种突触可塑性（STDP）学习法则，并实现了从纳秒级到毫秒级的STDP时间窗口调控；结合GeSbTe材料中的忆阻效应与相变特性，提出并研究了两种机制共同作用的二阶忆阻器，在一个单元中实现两位二进制数据存储；提出了AgInSbTe忆阻材料中空间电荷限制导电与电化学金属化反应共同作用的忆阻机制，并在此基础上实现了忆阻器电阻的多级连续调制；设计了基于忆阻器的新型非易失性D锁存器和D触发器电路，具有速度快、可在断电后保持数据等优良特性。
项目组按时完成了项目任务，达到了项目目标，达到并部分超过了项目技术指标。培养了博士生3名、硕士生10名；在国际知名期刊上发表了论文9 篇、国际会议特邀报告6篇；申请国际专利5 件、国内发明专利8件、授权实用新型专利2件。
据悉，该项目的合作研究对材料、机理与应用研究瓶颈问题的解决起到了关键作用，提高了我国在新型存储器材料、器件工艺、表征方面的自主创新能力。忆阻器未来将在非易失性阻变存储器、存储与计算兼容的计算机系统、非线性电路、类大脑功能的人工神经网络等领域有广泛的应用前景，对推动我国相关产业的可持续发展具有重要价值。
