2015年12月17日，由华中科技大学光学与电子信息学院主办的“武汉忆阻理论、器件与应用研讨会（Workshop on memristor theory, device and applications）”在武汉光电国家实验室A301会议室举行。本次研讨会由我院缪向水教授担任会议主席，会议很荣幸地邀请到“忆阻器之父”、美国加州大学伯克利分校Leon O. Chua（蔡少棠）教授做主题报告。来自清华大学、北京大学、复旦大学、南京大学、中科院微电子所、中科院宁波材料所、国防科技大学、华中科技大学等单位的忆阻器研究者们为参会师生奉献了12个精彩的邀请报告。
蔡少棠教授1971年成为加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系教授，他提出了细胞神经网络、蔡氏电路和忆阻器等理论，是国际分支与混沌杂志的创始主编，欧州科学院院士，IEEE Fellow，是蔡氏电路的发明人，被称为是非线性电路理论和细胞神经网络之父。2000年获得IEEE神经网络先驱奖（IEEE Neural Networks Pioneer Award），2005年获得首届IEEE 基尔霍夫奖（IEEE Gustav Robert Kirchhoff Award）奖，2010年被授予John Guggenheim Fellow以及Leverhulme Trust Visiting Professorship，2011年被英国帝国理工学院授予Royal Academy of Engineering Distinguished Visiting Fellowship。
蔡少棠教授在1971年理论提出的忆阻器（Memristor）于2008年由美国惠普实验室在《Nature》发文宣布物理实现。忆阻器是一种与磁通量和电荷相关的无源电路元件，被认为是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，在信息存储、逻辑运算、神经形态计算、非线性电路领域有着非常重要的应用前景。这一个概念的提出和实现给传统电路理论带来了根本性的变革。忆阻器的物理实现当年被美国《时代》周刊评为2008年50项最佳发明之一，并入选美国《连线》杂志2008年十大科技突破。
16号下午及晚间，蔡少棠教授与参会的各单位研究者们就“忆阻器理论、忆阻器在中国的研究和发展”等话题进行了非正式交流。
17号上午8点整，在缪向水教授致欢迎辞后，本次会议正式拉开帷幕。蔡少棠教授首先以《Memristor and Memristive Systems》为题作主题汇报，介绍了忆阻器和忆阻系统的基本概念与定义。年届八旬蔡教授清晰的思路、抖擞的精神以及对科学探索的热爱给了在场师生极大的激励和鼓舞。随后，我院青年教师李祎代表由缪向水教授领衔的信息存储材料与器件研究团队，以《Memristor Based Neuromorphic and Logic Computing》为题介绍了团队在硫系化合物忆阻材料及器件、神经形态计算与非易失性逻辑运算等方面所做的特色工作。
接下来，受邀从全国各地赶来齐聚华科的忆阻器研究者们也同与会师生们分享了最前沿和重要的研究成果，内容涵盖了忆阻基础理论、物理机制、器件集成、信息存储、神经形态计算、逻辑运算等多个方面。南京大学万青教授以《Oxide-based electric-double-layer transistors for neuromorphic systems》介绍了氧化物电双层晶体管的仿神经元突触功能的实现及其在神经形态计算中的应用；北京大学杨玉超研究员以《Probing Switching Mechanism and Dynamics of Memristive Devices》为题，分享了如何对忆阻器件进行非原位与原位观测以揭示阻变动力学过程的相关成果；中科院微电子所龙世兵研究员、清华大学吴华强副教授、复旦大学周鹏教授则分别以《Resistive switching statistics》、《The development of HfOxbased RRAM and memristor》、《Nonvolatile Memory Based on Few-Layer Materials》为题介绍了各自在忆阻器阻变开关过程参数统计、HfOx忆阻器高密度集成、二维薄膜忆阻特性等方面的富有特色的研究工作；清华大学曾飞副教授、中科院宁波材料所刘钢青年研究员、华中科技大学材料学院杨蕊副教授分别以《Frequency dependent plasticity of macromolecules systems》、《Recent progress on memristive switching and its applications》、《Neuromorphic Functions realized in oxide memristive devices》为题介绍了高分子有机材料、金属有机框架材料、HfOx、WOx氧化物材料忆阻器的频率依赖、时间依赖突触可塑性，及其在未来信息存储和计算融合中的应用前景；华中科技大学自动化学院王小平教授以《The characteristic, model and dynamic analysis of memristor》题介绍了忆阻的性质、数学模型及忆阻网络的动力学分析；国防科技大学李清江博士以《Research on characterization of nanoscale TiO2 and HfO2 based devices》为题介绍了抗串扰电流的阵列测试系统及其在氧化物忆阻器测试中成功应用；我院薛堪豪副教授《Insights into the resistive switching mechanism of hafnia (HfO2) from first principles calculation》介绍了第一性原理计算在探究HfO2忆阻器忆阻机制中发挥的独特作用，为本次研讨会划上圆满句号。下午五点，本次研讨会完美落幕，与会者们乘兴而来，满意而归，受益匪浅。
本次研讨会是国内首次忆阻器研究的专题研讨会，能够同时邀请到“忆阻器之父”蔡少棠教授以及国内最优秀的忆阻器研究人员，是一次颇为难得的盛会。与会者们在会议期间进行了深入友好的交流和讨论，达成了具体的合作意向。相信本次会议的召开能够进一步促进兄弟单位之间的紧密合作，推动国内忆阻器领域的蓬勃发展！
