2018年4月26日星期四上午，山东大学信息科学与工程学院陈杰智教授接受我院王兴晟教授邀请做客第83期光电信息大讲堂，在南五楼612室作了题为“NAND闪存存储器&3D高可靠性技术”的学术讲座，光学与电子信息学院和国家光电实验室的部分老师、研究生以及本科生积极参加了此次报告会。
陈教授首先从对数据的理解切入，对数据存储和闪存存储器的历史及发展现状做了概述，并对闪存存储器的类型和原理做了介绍。随后，针对NAND闪存存储器做了详细的讲解，包括NAND闪存存储器基本动作、多值/超多值NAND存储技术以及NAND闪存存储器可靠性机理等方面。
为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限，继续提高集成密度，三维立体闪存存储器将取代二维平面闪存存储器成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流产品形态。陈教授为大家阐述了与2D NAND技术相比，3D NAND技术所带来的变化，包括工艺上放宽对光刻技术的要求，将工艺重点放在成膜和刻蚀上，以及将集成方向从平面上特征尺度的缩小转移到三维上层数的增加等，并结合自己的研究工作，对三维NAND闪存存储器可靠性以及高可靠性NAND存储技术做了介绍，提出了包括对于中和界面悬挂键使用重氢来替代氢等一系列想法。
陈教授的讲解深入浅出，让大家对NAND闪存存储器有了更深入的认识。报告结束后，陈教授与在场老师以及同学们作了讨论并说明了自己对于NAND的前沿建议及想法。习近平总书记说：“科技攻关靠自己”，芯片是国之重器，中国芯的发展离不开每一个微电子人的努力。陈教授的研究与我院王兴晟教授等课题组的研究均涉及国家集成电路产业核心关键技术，陈教授的报告对于我院微电子器件与系统研究特别是信息存储等相关研究领域具有极高的借鉴意义。
报告人介绍：
陈杰智教授，2009年博士毕业于东京大学电子工学专业，2010年受聘于日本东芝研究开发中心，从事纳米器件、闪存存储器、以及SSD固态硬盘的可靠性机理研究，2016年通过第十二批“计划”到山东大学任教。目前其主要研究方向包括：纳米器件中沟道载流子输运特性的研究、半导体存储器器件可靠性物理机制的研究、以及云存储系统中芯片指纹的设计。其主要学术成果于2008-2017间十余次在微电子领域顶级国际权威器件研究会议IEDM和VLSI Technology做报告，已经获得十多项美国专利授权和日本专利授权。目前其为IEEE IEDM国际电子器件会议CRY技术委员及IEEE SNW会议技术委员。
