2018年7月16日星期一上午，英国格拉斯哥大学Asen Asenov教授接受我院王兴晟教授的邀请做客第99期光电信息大讲堂， 在南五楼612室作了题为“涨落以及对先进工艺技术和产品设计的影响”的学术讲座，光学与电子信息学院的部分老师、研究生以及本科生积极参加了此次报告会。光学与电子信息学院缪向水教授主持了整个讲座。
Asenov教授首先以器件尺寸微缩引起的变革讲起。随着器件尺寸的微缩，尤其是在20nm以下的工艺中，随机涨落在器件的设计中越来越成为不可忽视的一环，并且对涨落的来源进行了介绍。随后，针对不同情况所引起的涨落问题，分别从长程随机涨落、由电荷离散度引入的短程随机涨落进行了系统的讲解。重点讨论了短程涨落的不同根源，包括随机离散掺杂，线边缘粗糙程度和金属栅的颗粒度。此外，还介绍了由时间所决定的与栅介质中电荷陷阱相关的随机涨落。
而后Asenov教授详细的阐述了如何通过TCAD仿真和适用于电路设计的紧凑建模来获取长程随机涨落、短程统计随机涨落以及其相互关系。并且举例说明了如何在早期的PDK开发和基于TCAD的DTCO中获得随机涨落，详细说明了不同类型的随机涨落对逻辑电路和存储器设计的影响，以及如何在电路仿真中减轻其影响。最后Asenov教授还提供了先进的FDSOI和CMOS的技术实例。在报告中，Asenov教授强调了TCAD/EDA工具对于加速新技术开发以及节约开发成本的重要性，特别指出王兴晟教授在格拉斯哥大学与IBM公司合作所取得的FinFET研发成果已经被应用在IBM基于FinFET的世界最新最快超级计算机上，强调了其工作的突出重要性。
报告人介绍：
Asen Asenov教授（IEEE会士，苏格兰爱丁堡皇家学会院士）是格拉斯哥大学詹姆斯.瓦特讲席教授，在著名的格拉斯哥器件建模组担任主任。指导开发了量子、蒙特卡洛和经典模型和工具，并将其应用于先进和革新CMOS器件的设计。他也是GSS公司的建立者和CEO，GSS在2016年被新思科技（Synopsys）收购后，他任职于格拉斯哥大学与新思科技。Asenov教授发表包括nature、science在内论文650多篇，谷歌学术引用11000多次，H指数49。
