2018年9月18日，丹桂飘香，又是新的一学年，中国科学院半导体研究所张杨研究员做客光电信息大讲堂，带来了“6-8英寸砷化镓分子束外延产业化工作”精彩学术报告。会议由刘欢教授主持，我院周文利教授、李华曜副教授，多名研究生和本科生积极参加了这次讲座。
在简要介绍了半导体所的人员构建、研发机构、历史贡献和未来规划等基本情况之后，张杨研究员结合苹果手机芯片情况，重点介绍了砷化镓半导体分子束外延技术及其在芯片上的应用。张杨研究员团队2015年起在国内率先开展了具有自主知识产权的6-8英寸砷化镓分子束外延材料的产业化工作，2016年6月首次在国内研制出6英寸GaAs基高电子迁移率晶体管（PHEMT）外延片，达到了Skyworks等国际一流砷化镓微波芯片公司的单片微波集成电路主要产品技术水平。2017年10月和11月先后研制出用于高速数据存储的6英寸高速850nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片， 和用于3D传感、激光雷达的6英寸940nm VCSEL激光器外延片，并出口台湾相关芯片厂。最后，他还介绍了近期有关心血管疾病离子检测的研究内容，研制的肿瘤标志物AFP生物传感检测极限达到20pg/ml量级，针对环境中重金属离子的检测方面，对Pb2+离子检测极限达到0.1pmol/l量级。在整个报告中，张杨研究员结合技术成果转化和产业应用，为我们展现了丰富多彩的科学研究工作。报告结束后，张杨研究员和现场师生进行了热烈的科学交流和讨论，一起探讨了场效应晶体管、材料成膜、特异性测试等问题，对我院传感器和芯片研究方向具有很好的启发意义。
报告人：
张杨，男，博士，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，北京市科技新星（2010），中国科学院青年创新促进会会员（2015），长期从事砷化镓、磷化铟、锑化物基微电子及光电子材料及器件的研究工作，取得的成果有：（1）2008年在国内率先研制了基于0.25微米工艺的高性能InP基共振隧穿二极管（RTD），高电子迁移率（HEMT）晶体管单片集成电路；（2）2013年在国内首次采用分子束外延技术制备出具有一流电学特性的锑化物基高电子迁移率晶体管，室温下电子迁移率超过30,000cm2/V•s；（3）2015年在国内率先开展了具有自主知识产权的6-8英寸砷化镓分子束外延材料的产业化工作，2017年在国内首次研制出用于3D传感，激光雷达的4英寸940nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片；（4）2015年起开展了基于HEMT器件的生物传感器检测研究。发表SCI论文50余篇，申请国家发明专利30项。曾主持及参加国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然科学基金、中科院人才项目及企业横向基金多项。
