时 间：2021年6月7日10: 00 – 11 : 30
地 点： 光电信息大楼C837
报告人： 吴迪教授，南京大学现代工程与应用科学学院
邀请人： 张光祖教授
报告摘要：
随着芯片集成度不断提高，半导体器件尺寸逐渐接近物理极限，传统半导体信息技术面临困难。另一方面，关联电子材料中自旋、轨道、电荷和晶格自由度之间的强烈耦合使得多个物理过程相互交织，导致复杂的相图和丰富而敏感的宏观物性变化，为器件应用提供了可能。利用氧化物关联电子系统中的新奇量子效应来发展氧化物电子学存储和处理器件成为研究的热点。报告介绍外延异质界面的制备，并以铁电隧道结和多态存储、La0.7Sr0.3MO3/SrIrO3界面的非共线磁结构为例展开讨论。
报告人介绍：
吴迪，博士、教授。1996年本科毕业于南京大学物理系，2000年取得南京大学凝聚态物理博士学位，随后进入南京大学材料科学与工程系工作，2005-2007年在法国国家科学研究中心图卢兹材料制备与表征中心访问研究，现为南京大学现代工程与应用科学学院教授、博士生导师，在介电、铁电和多铁性薄膜的制备及相关材料物理、器件物理方面发表论文100余篇。
