时 间： 2018年4月26日 10: 00 – 12 : 00
地 点： 南五楼 612 学术报告厅
报 告 人：
陈杰智 教授，山东大学信息科学与工程学院
邀 请 人：
王兴晟 教授
报告摘要：
随着大数据、云计算、物联网等技术的兴起，需要存储分析的信息正在爆炸式地增长。为克服器件尺寸缩小所面临的物理极限，继续提高集成密度，三维立体闪存存储器将取代二维平面闪存存储器成为未来十几年大容量非挥发存储器的主流产品形态。相比二维闪存存储器，三维闪存存储器可以提供更大的存储密度，更低的产品成本和更高的可靠性特性。然而，由于三维闪存存储器的特殊器件结构和制备工艺，其可靠性核心问题与二维闪存存储器有着很大不同。本报告将聚焦三维闪存存储器可靠性研究中所涉及的前沿科学问题，内容包括存储单元中材料缺陷的物理机制、器件特性、及存储器系统上的可靠性设计。
报告人介绍：
陈杰智教授， 2009年博士毕业于东京大学电子工学专业，2010年受聘于日本东芝研究开发中心，从事纳米器件、闪存存储器、以及SSD固态硬盘的可靠性机理研究，2016年通过第十二批“计划”到山东大学任教。目前其主要研究方向包括：纳米器件中沟道载流子输运特性的研究、半导体存储器器件可靠性物理机制的研究、以及云存储系统中芯片指纹的设计。其主要学术成果于2008-2017间十余次在微电子领域顶级国际权威器件研究会议IEDM和VLSI Technology做报告，已经获得十多项美国专利授权和日本专利授权。目前其为IEEE IEDM国际电子器件会议CRY技术委员及IEEE SNW会议技术委员。
