主 题：
氮化物和SiC光电子器件的数值仿真与实验研究 (
Numerical modelling and experimental demonstration for Nitride and SiC optoelectronic and electronic devices )
时 间： 2019 年 9月 10日 10 : 00 - 11: 00
地 点：
南五楼 612 学术报告厅
报告人：
张紫辉 教授， 河北工业大学
邀请人：
张敏明 教授
报告摘要：
本讲座将介绍氮化物和SiC光电子和电子器件的数值仿真和实验的最新研究成果。讲座内容包含三个方面：首先，介绍如何设计提高AlGaN基深紫外发光二极管（LED）的载流子注入效率，通过极化工程，掺杂调制可以适当地控制载流子能量以改善载流子注入，同时通过局部调制掺杂类型也可以改善电流扩散效应。其次，通过详细研究影响载流子传输和载流子复合过程的不同参数，展示基于GaN的核/壳LED和微LED的器件物理特性。最后，展示几个器件（基于GaN的VCSEL，基于GaN的台面型功率肖特基势垒二极管（SBD）和基于4H-SiC的雪崩光电探测器（APDs））的初步数值建模进展。
In this report, we will present our most recent results on numerical modelling and experimental demonstration for Nitride and SiC optoelectronic and electronic devices. We firstly present our designs to increase the carrier injection efficiency for AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes (LEDs), and we find that the carrier injection can be improved if the carrier energy is properly manipulated by e.g., polarization engineering, doping modulation. We also improve the current spreading effect by locally modulating the doping type, and the underlying device physics is revealed. Secondly, we also investigate the device physics for GaN based core/shell LEDs and Micro-LEDs. Different parameters that affect the carrier transport and the carrier recombination process have been studied in detail. Lastly, we will also present our preliminary numerical modelling progress on GaN based VCSELs, GaN based mesa-type power Schottky barrier diodes (SBDs) and 4H-SiC based avalanche photo-detectors (APDs).
报告人介绍：
张紫辉，男，生于1983年，2006年毕业于山东大学并获得理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，后留校担任南洋理工大学研究员，目前担任河北工业大学教授、博士生导师、。主要研究化合物半导体器件工艺、器件仿真、器件物理。目前已经在Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters等领域内权威期刊发表SCI科研论文近90篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章60多篇(包括综述文章3篇)；受邀以第一作者身份为3部学术专著(Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, Handbook for Solid-State Lighting and LEDs，均由CRC Press, Taylor & Francis Group于2017年出版；Light-Emitting Diodes – Materials, Processes, Devices and Applications，Springer) 分别撰写章节1章，撰写Springer Book Series 学术著作1部；授权发明专利20多项。研究工作先后10多次分别被英国《今日半导体-Semiconductor Today》杂志、美国Applied Physics Letters、Advanced Science News、德国Wiley杂志社做专门报道，或被列为主题文章(Feature Article)、封面文章(Front Cover)。先后承担国家级、省部级及各类人才项目10项，参与科技部重点研发计划1项。
