氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体，具有激子束缚能高(60 meV)、原料丰富廉价等优点，可以实现室温下的高效的激子受激激发而成为新一代的半导体发光材料。 通过合金化掺杂的能带工程研究, 对设计和制造高效ZnO光电器件具有非常重要的意义，如ZnMgO和ZnCdO可以分别实现ZnO薄膜能带宽度的增加和缩小。但是由于晶体结构和原子大小的差异，在掺杂浓度较高时容易出现晶格失配缺陷和合金相分离现象，限制了能带调节幅度。一维纳米材料的小尺寸可以释放半导体合金的晶格应力，得到较高的合金浓度和良好晶体质量，实现更大幅度的能带调节，给ZnO能带工程带来新的机遇。
光电信息学院兼职教授高义华教授指导的博士生张翔晖, 通过简单的化学气相沉积方法，实现了高质量的GaxZn1-xO (0下载)。该研究工作得到了自然科学基金(Nos. 11074082, 11204093)等项目资助。文章内容
Fig. (I) GaxZn1-xO纳米线阵列的SEM图，(a-f)对应于镓掺杂浓度逐渐增加(0
Fig. (II) GaxZn1-xO纳米线的高分辨TEM像和EDS元素分布扫描图。
Fig. (III) n-GaxZn1-xO/p-GaN LED器件结构示意图。
Fig. (IV): (a)波长可调LED的EL光谱, (b) EL光谱的峰峰拟合分析，(c) n-GaxZn1-xO/p-GaN LED器件能带示意图，(d)为不同掺杂浓度LED器件发光的光学照片。
