11月10日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目第一年度总结会在课题一承担单位华中科技大学召开。科技部高技术研究发展中心材料处项目主管、华中科技大学科学技术发展院周光勇副处长、光学与电子信息学院副院长缪向水教授出席了总结会。出席年度总结会的专家有项目责任专家陈弘达教授，项目咨询专家杨中民教授、潘峰教授、熊锐教授、王嘉赋教授。项目组的科研骨干成员也一同参加了项目年度总结会。
年度总结会上，周光勇副处长致辞，对高技术中心和专家们的支持表示感谢。周光勇副处长还对当前微电子领域的形势和现状进行了总结和展望，表示学校大力支持相关团队围绕关键技术进行突破。
项目负责人刘琦研究员向领导和专家们汇报了项目的总体进展情况。程晓敏教授等课题负责人也分别详细介绍了各课题的研究进展。与会专家听取了项目及各课题汇报后，对项目的顺利进展表示了肯定，并对项目的下一步研究计划提出了宝贵意见。
最后科技部高技术中心主管针对项目管理工作做了报告，从项目管理、实施过程中存在的问题和解决方案等几个方面对重点研发计划的项目管理工作提出了很好的建议。
附：“新型高密度存储材料与器件”项目简介
本项目面对大数据时代对海量数据存储和处理的需求，研究相变、阻变、铁电等新型存储材料和器件的设计与制备关键技术，发展用于高密度存储阵列的选通器件及三维集成技术，研制兼具信息存储、逻辑、运算、编解码等多功能的新型原型器件以及柔性阻变存储器原型器件，为我国发展具有自主知识产权的新型高性能存储材料与器件奠定技术基础。
