10月26日上午学术报告通知：新兴纳米MOS器件的“原子尺度”量子模拟

时 间：10月26日（星期一）上午10:00-12:00

地 点：西一楼学院会议室

报 告 人： 姜向伟（中科院半导体所副研究员）

报告摘要：随着场效应晶体管制造的进一步精细化，量子效应已经被普遍认为不可忽略并将主导亚十纳米器件物理。一方面，量子效应（量子限制、源漏隧穿等）影响和制约着纳米MOS器件的性能；另一方面，量子隧穿成为新兴TFET的工作原理，打破了传统的玻尔兹曼限制，使得低功耗IC成为可能。因此，要在下一代器件研制中取得突破，就必须深入理解器件中的量子效应和量子机制，基于量子力学进行器件建模。报告将介绍我们在纳米MOS器件量子模拟方法及其应用研究方面的工作：（1）基于“原子性”经验赝势理论的百万原子器件模拟，早期工作运用该方法研究了纳米MOSFET器件中的量子效应，最近基于经验赝势理论建立了III-V族TFET的量子模拟方法；（2）基于密度泛函量子输运的带间隧穿器件模拟，研究了InAs及过渡金属硫化物（TMD）中的带间隧穿物理，发现TCAD广泛采用的WKB方法并不能准确描述带间隧穿物理过程，进行了TMD-TFET的性能预测并提出了基于原子空位缺陷的性能优化。