通讯员（童文）集成电路与系统是现代电子信息科技的核心技术，是国家综合实力的重要标志。光学与电子信息学院（武汉国际微电子学院）“超大规模集成电路与系统研究中心”主任邹雪城教授带领的研发团队，近三年来在微电子器件及集成电路领域顶级期刊上发表10余篇高水平论文。
2016年1月，白创博士在本领域国际知名期刊《IEEE超大规模集成电路与系统汇刊》（TVLSI，2015年影响因子1.36）上发表论文《基于晶闸管的物理不可克隆函数》。课题组成员采用0.18微米CMOS工艺制作晶闸管，利用半导体工艺制程的偏差从每一块芯片上提取唯一的密钥。采用物理不可克隆函数的芯片是不可被仿制的，极大地提高了芯片和系统的安全等级。
万美琳博士研究了基于开关电容的物理不可克隆函数，利用锁存器提取和放大电容率的失配因素，能有效防止侵入式攻击，相关研究成果《基于开关电容的防侵入式攻击的物理不可克隆函数》于2015年8月发表在《IEEE电路与系统汇刊I》（TCAS I，2015年影响因子2.4）。此外，万美琳博士的另一项研究成果《基于非线性补偿的电压电流转换器》于2016年2月发表在《IEEE电路与系统汇刊II》（TCAS II，2015年影响因子1.23）。
闵闰博士、童乔凌副教授等与欧洲爱信精机研究所长期合作，针对新能源汽车中开关功率变换器的控制策略及芯片设计开展研究，通过设计电流观测器和改进预测电流控制器，解决传统电流传感器在速度和精度上的瓶颈，在《IEEE工业电子学汇刊》（TIE，2015年影响因子6.4）发表3篇学术论文。分别是：《不连续电流模式下基于电荷平衡策略的双电流误差补偿》《预测电流控制中的综合补偿策略》《基于微分自校正电流观测器的预测电流控制模式》。2016年，该课题组在《IEEE电力电子汇刊》（TPEL，2015年影响因子6.0）发表学术论文《适用于降压变换器的基于非平均电流离散模型的最少周期控制》，在《IEEE电路与系统汇刊II》上发表论文《基于绝缘体上硅工艺的电荷泵设计》。
刘子龙博士、刘冬生副教授一直从事射频识别相关技术的研究，在射频识别标签芯片的射频前端和安全加密技术方面取得突破，2015年8月在《IEEE电路与系统汇刊I》上发表论文《适用于植入式半有源标签的高敏感度射频前端》，2015年7月在《IEEE工业电子学汇刊》上发表《适用于标签芯片的基于椭圆加密算法的数字基带控制器设计》，2016年在《IEEE电路与系统汇刊II》上发表论文《基于环形振荡器的低成本低功耗真随机数发生器》。
上述研究成果获得了国内外研究团队的广泛关注。目前，研究中心正在与武汉本地相关企业紧密合作，努力实现研究成果的产业化。未来，研究中心将继续致力于硬件安全、电源技术和智能传感器等方面的研究，力争为我校集成电路与系统方向的发展做出新的贡献。
