2018年4月24日上午，新南威尔士大学材料科学与工程学院Nagarajan Valanoor教授接受我院张光祖教授的邀请，在西一楼会议室做了题为“铁电材料的拓扑效应：畴壁存储器以及新兴功能”的学术讲座并对想要申请国外博士的硕士生们提出要求，光电学院和国家光电实验室的部分老师、研究生及本科生积极参加了此次报告会。
Nagarajan Valanoor教授首先对该方向背景进行了介绍，介绍中提到由于冷却至低于铁相转变温度时有序参数的可能取向的退化，铁相倾向于形成离散畴结构。其中导电的铁电畴壁的发现激发了“畴壁纳米电子学”的发展，这是一种基于畴壁（而不是畴域）的信息存储技术。
随后向我们展示了一种原型非易失性铁电畴壁存储器，其二元状态由存在或不存在导电壁限定。该器件可在中等电压下可实现无损读出，具有较高的ON/OFF，和出色的耐久性和抗疲劳特性，并具有多级数据存储容量。该工作朝集成纳米级铁电畴壁存储器器件迈出了重要的一步。
在铁电畴存储器件的基础上Nagarajan Valanoor教授还向我们介绍了他们研究团队新发现的超薄铁电薄膜中的纳米级泡畴。这种新型的纳米级铁电畴在超薄外延PZT夹层结构中被观察到。通过使用压电响应力显微镜和像差校正的原子分辨扫描透射电子显微镜技术，证实气泡畴是横向尺寸的小于10nm的球状结构，局部偶极子与其周围的铁电体基体的宏观极化相反。
在会议快要结束时Nagarajan Valanoor教授对我们的研究生提出了要求。他希望我们的研究生能够具备独立的研究能力，于老师之间能够相互探讨，相互促进，而不是一昧的依靠他人。使在座的研究生们受益匪浅。
报告人介绍：Nagarajan Valanoor 教授1997年在Pune大学获得冶金学学士学位， 2001年在马里兰大学材料科学与工程学院导获得博士学位。2005年起，他开始在新南威尔士大学材料科学与工程学院担任讲师职位。目前担任教授和学院的研究主任。Valanoor 教授的同行评审（列在ISI Web of Science上）的发表论文总数为176篇，其中包括Science Nature Materials, Physical Review Letters，Advanced Materials, Nano Letters, Nature Communications , ACS nano 等顶级期刊。H指数达到44，总引用超过8000。
