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科技成果转化现金奖励信息公示〔2020〕5号——三维相变存储器知识产权组

作者: 时间:2020-07-01 点击数:

根据《华中科技大学科技人员取得职务科技成果转化现金奖励信息公示办法》,现对我校“三维相变存储器知识产权组”职务科技成果转化现金奖励相关信息公示如下:

一、成果转化信息

成果名称:三维相变存储器知识产权组

成果明细:

1.发明专利:一种相变随机存储器,ZL200810197658.0

2.发明专利:用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法,ZL201110325521.0

3.发明专利:一种相变存储器芯片测试方法,ZL201110188355.4

4.发明专利:一种相变存储单元阵列的测试装置,ZL201110188352.0

5.发明专利:相变存储器芯片的封装方法,ZL201110405543.8

6.发明专利:相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法和装置,ZL201210154941.1

7.发明专利:一种相变存储器单元高速擦写测试系统,ZL201210001014.6

8.发明专利:一种模拟生物神经突触的单元、装置及方法,ZL201310001907.5

9.发明专利:一种模拟生物神经元和神经突触的单元、装置及方法,ZL201310001461.6

10.发明专利:一种短时与长时存储器件及存储方法,ZL201310015283.2

11.发明专利:一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路,ZL201310727395.0

12.美国发明专利:NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY,US9369130

13.美国发明专利:JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF,US9418733

14.美国发明专利:MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS,US9543510

15.美国发明专利:NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF,US9543955

16.发明专利:一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法,ZL 201410039670.4

17.发明专利:一种低热导率的多层相变材料,ZL 201010595047.9

18.发明专利:一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法,ZL201310698161.8

19.发明专利:一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法,ZL201310698161.8

20.发明专利:一种相变存储器热串扰测试方法,ZL201410256649.X

21.发明专利:基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法。ZL201510462748.8

22.发明专利:一种三维存储器及其制备方法,ZL201510816435.8

23.发明专利:一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路,ZL201610165799.9

24.发明专利:一种芯片的封装方法及封装结构,ZL201711400343.7

25.发明专利:一种相变存储裸阵列的选址系统,ZL201610470708.2

26.发明专利:一种基于VOx选通管的相变存储单元,ZL201710332675.X

27.发明专利:一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用,ZL201810097825.8

28.发明专利:一种基于相变存储器实现双向数字运算的电路及方法,ZL201610830916.9

29.发明专利:一种含锗硫系化合物的电化学制备方法,ZL201811506259.8

30.发明专利:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,ZL201811084770.3

31.专利申请权:一种非对称环状微电极相变存储单元及器件,201710192561.X

32.专利申请权:一种选通管器件及其制备方法,201710902924.4

33.专利申请权:磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料及其相应调控方法,201711144962.4

34.专利申请权:一种模拟相变存储计算单元的电路模型,201711142328.7

35.专利申请权:一种用于填充垂直硅通孔TSV的复合材料及其填充方法,申请号:201711329523.0

36.专利申请权:一种三维堆叠存储器及其制备方法,201810541298.5

37.专利申请权:一种相变存储器的擦写方法,201810645253.2

38.专利申请权:一种选通管材料、选通管器件及其制备方法,201811488234.X

39.专利申请权:一种基于相变存储器实现二进制并行加法的方法及系统,201910016687.0

40.专利申请权:一种调控材料中空位缺陷的方法,201910095442.1

41.专利申请权:一种改善选通管器件性能的操作方法,201910123619.4

42.专利申请权:一种选通管器件的预处理方法,201910293381.X

43.专利申请权:一种二维材料相变存储单元,201910523441.2

44.专利申请权:一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用,201910734408.4

45.专利申请权:一种低密度变化相变材料和相变存储器及制备方法,201910760406.2

46.专利申请权:一种高可靠性相变材料和相变存储器及制备方法,201910759485.5

47.专利申请权:一种提高成品率的相变存储器及制备方法,201910759489.3

48.专利申请权:一种选通管器件、存储器单元及制备方法,201910765152.3

49.专利申请权:二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法,201910818242.4

50.专利申请权:一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用,201910818229.9

51.专利申请权:一种阈值电压可调的三端超晶格存算一体器及其制备方法,201910818245.8

52.专利申请权:抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器,201910816480.1

53.专利申请权:一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器,201910816518.5

54.专利申请权:相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法,201910829462.7

55.专利申请权:Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法,201910828813.2

56.专利申请权:In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法,201910828790.5

57.专利申请权:Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法,201910828785.4

58.专利申请权:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,201910828704.0

59.专利申请权:一种多值相变存储器单元、逻辑电路及多进制运算方法,201910834035.8

60.专利申请权:用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构,201910906738.7

61.专利申请权:用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构,201910906709.0

62.专利申请权:用于纳米级相变存储器单元的新型电极配置结构,201910907575.4

63.专利申请权:纳米级相变存储器单元水平电极配置结构的制造使用方法,201910907571.6

64.专利申请权:纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法,201910906751.2

65.专利申请权:纳米级相变存储器单元新型电极配置结构的加工使用方法,马平、童浩、缪向水

66.专利申请权:一种对相变存储器单元相变能力的快速检测方法,201910906710.3

67.专利申请权:用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法,201910906740.4

68.专利申请权:一种相变材料的性能获取方法、终端设备和计算机可读介质,201910943144.3

69.专利申请权:一种基于VOx选通管的相变存储单元,PCT/CN2018/085935

70.专利申请权:一种选通管器件及其制备方法,PCT/CN2018/090244

71.专利申请权:一种三维堆叠存储器及其制备方法,PCT/CN2018/099519

72.专利申请权:一种相变存储器的擦写方法,PCT/CN2018/099520

73.专利申请权:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,PCT/CN2018/118146

74.专利申请权:一种选通管器件的预处理方法,PCT/CN2019/095696

75.专利申请权:一种改善选通管器件性能的方法,PCT/CN2019/096066

76.专利申请权:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法,PCT/CN2019/107182

77.专利申请权:一种铁电相变混合存储单元、存储器及操作方法,2019108096293

78.专利申请权:一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法,2019109942557

79.专利申请权:一种使用电化学沉积进行相变存储单元集成的方法,201910996019.9

80.专利申请权:基于电化学沉积的深孔超晶格填充方法,201910994998.4

81.专利申请权:一种三维存储器及其读取方法,2019111276732

82.专利申请权:一种高密度的相变存储器三维集成电路结构的制备方法,2019111029256

83.专利申请权:一种高密度的相变存储器三维集成电路结构,2019111019470

84.专利申请权:SELECTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME,16655191

85.专利申请权:PHASE-CHANGE MEMORY CELL,16679355

86.专利申请权:一种相变材料纳米线组装、测试装置及方法,201911047936.9

87.专利申请权:一种具有新型结构与材料的VOx选通管,201911046660.2

88.专利申请权:一种具有新型结构与材料的选通管的制备方法,201911046710.7

89.专利申请权:一种具有新型材料和结构的选通管,201911046676.3

90.专利申请权:一种具有新型结构与材料的VOx选通管的制备方法,201911046644.3

91.专利申请权:一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法,201911046637.3

92.专利申请权:用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法,201910969641.0

93.专利申请权:低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法,201911033437.4

转化方式:普通许可

转化收入:¥300万元

取得时间:2020年6月

二、现金奖励信息


序号

人员

岗位职务

贡献情况

现金奖励金额(元)

现金奖励拟发放时间

1

缪向水

教授

成果完成人

¥ 710909.84

20209

2

童浩

副教授

成果完成人

¥ 487481.03

20209

3

程晓敏

教授

成果完成人

¥ 426545.90

20209

4

李震

高级工程师

成果完成人

¥ 304675.65

20209

5

徐明

教授

成果完成人

¥ 101558.55

20209

现金奖励总额:

2031170.97




三、技术合同登记信息

技术合同登记机构:华中科技大学技术合同登记站

技术合同编号:2020-4201-18-000145

技术合同项目名称:三维相变存储器芯片产品研发

特此公示,公示期15个工作日,自2020年7月1日起至2020年7月21日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我办反映。

联系人:臧老师

联系电话:87540925

科技成果转化办公室

2020年6月30日


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