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科技成果转化公示 ​〔2019〕28号——三维相变存储器知识产权组

作者: 时间:2019-12-05 点击数:

根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定,对“三维相变存储器知识产权组”成果转化相关事项公示如下:

一、成果名称及简介:

该成果包含如下93项知识产权:

(1)发明专利:一种相变随机存储器

发明人:缪向水、王嘉慧、韩武豪

专利号:ZL200810197658.0

专利权人:华中科技大学

(2)发明专利:用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法

发明人:程晓敏、鞠晨、缪向水

专利号:ZL201110325521.0

专利权人:华中科技大学

(3)发明专利:一种相变存储器芯片测试方法

发明人:李震、张乐、瞿力文、缪向水

专利号:ZL201110188355.4

专利权人:华中科技大学

(4)发明专利:一种相变存储单元阵列的测试装置

发明人:缪向水、瞿力文、张乐、彭菊红、李震

专利号:ZL201110188352.0

专利权人:华中科技大学

(5)发明专利:相变存储器芯片的封装方法

发明人:缪向水、李震、陈伟、瞿力文

专利号:ZL201110405543.8

专利权人:华中科技大学

(6)发明专利:相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法和装置

发明人:缪向水、李震、陈伟、彭菊红、邓宇帆

专利号:ZL201210154941.1

专利权人:华中科技大学

(7)发明专利:一种相变存储器单元高速擦写测试系统

发明人:缪向水、李震、黄冬其

专利号:ZL201210001014.6

专利权人:华中科技大学

(8)发明专利:一种模拟生物神经突触的单元、装置及方法

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军

专利号:ZL201310001907.5

专利权人:华中科技大学

(9)发明专利:一种模拟生物神经元和神经突触的单元、装置及方法

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军

专利号:ZL201310001461.6

专利权人:华中科技大学

(10)发明专利:一种短时与长时存储器件及存储方法

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、徐小华

专利号:ZL201310015283.2

专利权人:华中科技大学

(11)发明专利:一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、程晓敏

专利号:ZL201310727395.0

专利权人:华中科技大学

(12)美国发明专利:NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、程晓敏

专利号:US9369130

专利权人:华中科技大学

(13)美国发明专利:JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、徐小华

专利号:US9418733

专利权人:华中科技大学

(14)美国发明专利:MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS

发明人:缪向水、童浩、程晓敏

专利号:US9543510

专利权人:华中科技大学

(15)美国发明专利:NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏

专利号:US9543955

专利权人:华中科技大学

(16)发明专利:一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法

发明人:缪向水、李祎、钟应鹏

专利号:ZL 201410039670.4

专利权人:华中科技大学

(17)发明专利:一种低热导率的多层相变材料

发明人:缪向水、童浩、程晓敏

专利号:ZL 201010595047.9

专利权人:华中科技大学

(18)发明专利:一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法

发明人:李震、缪向水、何强、邓宇帆、周伟缪颖

专利号:ZL 201310698161.8

专利权人:华中科技大学

(19)发明专利:一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法

发明人:李震、缪向水、何强、邓宇帆、周伟缪颖

专利号:ZL201310698161.8

专利权人:华中科技大学

(20)发明专利:一种相变存储器热串扰测试方法

发明人:李震、刘畅、赖志博、缪向水、程晓敏

专利号:ZL201410256649.X

专利权人:华中科技大学

(21)发明专利:基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法

发明人:李震、孟祥如

专利号:ZL201510462748.8

专利权人:华中科技大学

(22)发明专利:一种三维存储器及其制备方法

发明人:缪向水、颜柏寒、童浩、闫鹏

专利号:ZL201510816435.8

专利权人:华中科技大学

(23)发明专利:一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路

发明人:程晓敏、陆彬、冯金龙、缪向水

专利号:ZL201610165799.9

专利权人:华中科技大学

(24)发明专利:一种芯片的封装方法及封装结构

发明人:童浩、戴一帆、缪向水、程晓敏

专利号:ZL201711400343.7

专利权人:华中科技大学

(25)发明专利:一种相变存储裸阵列的选址系统

发明人:程晓敏、李佳灿、丁格格、刘畅、童浩、缪向水

专利号:ZL201610470708.2

专利权人:华中科技大学

(26)发明专利:一种基于VOx选通管的相变存储单元

发明人:缪向水、童浩、马立樊

专利号:ZL201710332675.X

专利权人:华中科技大学

(27)发明专利:一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用

发明人:徐明、吴倩倩、缪向水

专利号:ZL201810097825.8

专利权人:华中科技大学

(28)发明专利:一种基于相变存储器实现双向数字运算的电路及方法

发明人:李震、张璠

专利号:ZL201610830916.9

专利权人:华中科技大学

(29)发明专利:一种含锗硫系化合物的电化学制备方法

发明人:童浩、孙雄图、缪向水

专利号:ZL201811506259.8

专利权人:华中科技大学

(30)发明专利:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法

发明人:童浩、缪向水、沈裕山、蔡旺

专利号:ZL201811084770.3

专利权人:华中科技大学

(31)专利申请权:一种非对称环状微电极相变存储单元及器件

发明人:程晓敏、张瑾、马轩、余汉祥、顾伟、童浩、缪向水

申请号:201710192561.X

申请人:华中科技大学

(32)专利申请权:一种选通管器件及其制备方法

发明人:缪向水、林琪、童浩

申请号:201710902924.4

申请人:华中科技大学

(33)专利申请权:磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料及其相应调控方法

发明人:程晓敏、夏泽瑛、张瑾、冯金龙、童浩、缪向水

申请号:201711144962.4

申请人:华中科技大学

(34)专利申请权:一种模拟相变存储计算单元的电路模型

发明人:李震、赵瑞灏

申请号:201711142328.7

申请人:华中科技大学

(35)专利申请权:一种用于填充垂直硅通孔TSV的复合材料及其填充方法

发明人:程晓敏、陈高翔、宋夷斌、缪向水

申请号:201711329523.0

申请人:华中科技大学

(36)专利申请权:一种三维堆叠存储器及其制备方法

发明人:缪向水、童浩、沈裕山

申请号:201810541298.5

申请人:华中科技大学

(37)专利申请权:一种相变存储器的擦写方法

发明人:童浩、何明泽、缪向水

申请号:201810645253.2

申请人:华中科技大学

(38)专利申请权:一种选通管材料、选通管器件及其制备方法

发明人:童浩、何达、缪向水、林琪

申请号:201811488234.X

申请人:华中科技大学

(39)专利申请权:一种基于相变存储器实现二进制并行加法的方法及系统

发明人:李震、张浩、胡阳、缪向水

申请号:201910016687.0

申请人:华中科技大学

(40)专利申请权:一种调控材料中空位缺陷的方法

发明人:程晓敏、冯金龙、缪向水

申请号:201910095442.1

申请人:华中科技大学

(41)专利申请权:一种改善选通管器件性能的操作方法

发明人:缪向水、林琪、童浩

申请号:201910123619.4

申请人:华中科技大学

(42)专利申请权:一种选通管器件的预处理方法

发明人:童浩、何达、缪向水

申请号:201910293381.X

申请人:华中科技大学

(43)专利申请权:一种二维材料相变存储单元

发明人:程晓敏、温敏、吴文豪、缪向水

申请号:201910523441.2

申请人:华中科技大学

(44)专利申请权:一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用

发明人:徐明、林俊、李博文、缪向水

申请号:201910734408.4

申请人:华中科技大学

(45)专利申请权:一种低密度变化相变材料和相变存储器及制备方法

发明人:缪向水、周凌珺、童浩

申请号:201910760406.2

申请人:华中科技大学

(46)专利申请权:一种高可靠性相变材料和相变存储器及制备方法

发明人:缪向水、周凌珺、童浩

申请号:201910759485.5

申请人:华中科技大学

(47)专利申请权:一种提高成品率的相变存储器及制备方法

发明人:缪向水、周凌珺、童浩

申请号:201910759489.3

申请人:华中科技大学

(48)专利申请权:一种选通管器件、存储器单元及制备方法

发明人:缪向水、林琪、童浩

申请号:201910765152.3

申请人:华中科技大学

(49)专利申请权:二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法

发明人:程晓敏、冯金龙、吴文豪、缪向水

申请号:201910818242.4

申请人:华中科技大学

(50)专利申请权:一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用

发明人:程晓敏、冯金龙、童浩、缪向水

申请号:201910818229.9

申请人:华中科技大学

(51)专利申请权:一种阈值电压可调的三端超晶格存算一体器及其制备方法

发明人:程晓敏、冯金龙、缪向水

申请号:201910818245.8

申请人:华中科技大学

(52)专利申请权:抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器

发明人:程晓敏、冯金龙、缪向水

申请号:201910816480.1

申请人:华中科技大学

(53)专利申请权:一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器

发明人:程晓敏、冯金龙、缪向水

申请号:201910816518.5

申请人:华中科技大学

(54)专利申请权:相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法

发明人:徐明、徐萌、缪向水

申请号:201910829462.7

申请人:华中科技大学

(55)专利申请权:Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法

发明人:徐明、徐萌、缪向水

申请号:201910828813.2

申请人:华中科技大学

(56)专利申请权:In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法

发明人:徐明、徐萌、缪向水

申请号:201910828790.5

申请人:华中科技大学

(57)专利申请权:Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法

发明人:徐明、徐萌、缪向水

申请号:201910828785.4

申请人:华中科技大学

(58)专利申请权:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法

发明人:童浩、蔡旺、缪向水

申请号:201910828704.0

申请人:华中科技大学

(59)专利申请权:一种多值相变存储器单元、逻辑电路及多进制运算方法

发明人:李震、余浩、缪向水、唐韬

申请号:201910834035.8

申请人:华中科技大学

(60)专利申请权:用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910906738.7

申请人:华中科技大学

(61)专利申请权:用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910906709.0

申请人:华中科技大学

(62)专利申请权:用于纳米级相变存储器单元的新型电极配置结构

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910907575.4

申请人:华中科技大学

(63)专利申请权:纳米级相变存储器单元水平电极配置结构的制造使用方法

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910907571.6

申请人:华中科技大学

(64)专利申请权:纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910906751.2

申请人:华中科技大学

(65)专利申请权:纳米级相变存储器单元新型电极配置结构的加工使用方法

发明人:201910906752.7

申请号:马平、童浩、缪向水

申请人:华中科技大学

(66)专利申请权:一种对相变存储器单元相变能力的快速检测方法

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910906710.3

申请人:华中科技大学

(67)专利申请权:用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910906740.4

申请人:华中科技大学

(68)专利申请权:一种相变材料的性能获取方法、终端设备和计算机可读介质

发明人:马平、童浩、缪向水

申请号:201910943144.3

申请人:华中科技大学

(69)专利申请权:一种基于VOx选通管的相变存储单元

发明人:缪向水、童浩、马立樊

申请号:PCT/CN2018/085935

申请人:华中科技大学

(70)专利申请权:一种选通管器件及其制备方法

发明人:缪向水、林琪、童浩

申请号:PCT/CN2018/090244

申请人:华中科技大学

(71)专利申请权:一种三维堆叠存储器及其制备方法

发明人:缪向水、童浩、沈裕山

申请号:PCT/CN2018/099519

申请人:华中科技大学

(72)专利申请权:一种相变存储器的擦写方法

发明人:童浩、何明泽、缪向水

申请号:PCT/CN2018/099520

申请人:华中科技大学

(73)专利申请权:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法

发明人:童浩、缪向水、沈裕山、蔡旺

申请号:PCT/CN2018/118146

申请人:华中科技大学

(74)专利申请权:一种选通管器件的预处理方法

发明人:童浩、何达、缪向水

申请号:PCT/CN2019/095696

申请人:华中科技大学

(75)专利申请权:一种改善选通管器件性能的方法

发明人:缪向水、林琪、童浩

申请号:PCT/CN2019/096066

申请人:华中科技大学

(76)专利申请权:一种三维堆叠相变存储器及其制备方法

发明人:童浩、缪向水、蔡旺

申请号:PCT/CN2019/107182

申请人:华中科技大学

(77)专利申请权:一种铁电相变混合存储单元、存储器及操作方法

发明人:缪向水、王校杰、童浩

申请号:2019108096293

申请人:华中科技大学

(78)专利申请权:一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法

发明人:童浩、胡庆、何毓辉、缪向水

申请号:2019109942557

申请人:华中科技大学

(79)专利申请权:一种使用电化学沉积进行相变存储单元集成的方法

发明人:徐明、徐开朗、缪向水、童浩、万代兴

申请号:201910996019.9

申请人:华中科技大学

(80)专利申请权:基于电化学沉积的深孔超晶格填充方法

发明人:童浩、万代兴、缪向水、徐开朗

申请号:201910994998.4

申请人:华中科技大学

(81)专利申请权:一种三维存储器及其读取方法

发明人:童浩、蔡旺、缪向水、何达

申请号:2019111276732

申请人:华中科技大学

(82)专利申请权:一种高密度的相变存储器三维集成电路结构的制备方法

发明人:童浩、林琪、王伦、缪向水

申请号:2019111029256

申请人:华中科技大学

(83)专利申请权:一种高密度的相变存储器三维集成电路结构

发明人:童浩、林琪、王伦、缪向水

申请号:2019111019470

申请人:华中科技大学

(84)专利申请权:SELECTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME

发明人:缪向水、林琪、童浩

申请号:16655191

申请人:华中科技大学

(85)专利申请权:PHASE-CHANGE MEMORY CELL

发明人:缪向水、童浩、马立樊

申请号:16679355

申请人:华中科技大学

(86)专利申请权:一种相变材料纳米线组装、测试装置及方法

发明人:李震、胡阳、缪向水

申请号:201911047936.9

申请人:华中科技大学

(87)专利申请权:一种具有新型结构与材料的VOx选通管

发明人:童浩、林琪、王伦、缪向水

申请号:201911046660.2

申请人:华中科技大学

(88)专利申请权:一种具有新型结构与材料的选通管的制备方法

发明人:童浩、王伦、林琪、缪向水

申请号:201911046710.7

申请人:华中科技大学

(89)专利申请权:一种具有新型材料和结构的选通管

发明人:童浩、林琪、王伦、缪向水

申请号:201911046676.3

申请人:华中科技大学

(90)专利申请权:一种具有新型结构与材料的VOx选通管的制备方法

发明人:童浩、王伦、林琪、缪向水

申请号:201911046644.3

申请人:华中科技大学

(91)专利申请权:一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法

发明人:徐明、李博文、缪向水

申请号:201911046637.3

申请人:华中科技大学

(92)专利申请权:用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法

发明人:缪向水、何超、童浩

申请号:201910969641.0

申请人:华中科技大学

(93)专利申请权:低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法

发明人:程晓敏、冯金龙、徐明、徐萌、缪向水

申请号:201911033437.4

申请人:华中科技大学

简介:存储器长期占据全球集成电路产业市场的最大份额,是制约我国信息产业安全的关键“卡脖子”芯片。该成果围绕具有良好产业化前景的下一代存储器技术——三维相变存储器展开研究,共形成93项知识产权,其中授权美国发明专利4项、授权中国发明专利26项、发明专利申请63项。

二、拟交易价格

普通许可:300万元

三、价格形成过程

经全体发明人同意,并与拟受让公司协商,双方同意该成果以协议定价300万元实施普通许可,许可期限为自合同签订之日起至2022年12月31日。

特此公示,公示期15日,自2019年12月5日起至2019年12月19日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我办反映。

联系人:臧老师

联系电话:027-87540925

科技成果转化办公室


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