学生专利公示——一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法-华中科技大学光学与电子信息学院
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学生专利公示——一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法

作者: 时间:2018-05-16 点击数:


 发明专利:一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法

 

发明人缪向水;钱航;童浩

 

专利号:ZL 201410471285.7

 

专利权人:华中科技大学

 

证书号:2463198

 

简介本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法,采用浮栅晶体管作为存储单元,采用硫系化合物作为沟道材料,存储单元采用围栅结构,并且沟道区域与源漏区域采用同种材料,形成无结结构。这种采用硫系化合物材料做沟道材料的三维存储结构,采用垂直沟道结构,沟道采用光刻后再沉积的工艺制备,这种结构具备垂直方向上沟道以及水平方向的栅电极结构,并且栅结构垂直方向自下而上堆叠。

 

 

特此公示,公示期10日,自2018年5月162018年529。如有异议,请于公示期以书面形式实名向我办反映。

 

联系人:陈世英

 

联系电话18971619631


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