科技成果转化公示(2018)6号——一种碟片固体激光器等十项专利权-华中科技大学光学与电子信息学院
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科技成果转化公示(2018)6号——一种碟片固体激光器等十项专利权

作者: 时间:2018-04-24 点击数:

华中科技大学科技成果转化公示

2018 6

根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》(校科技〔201611号)规定,对一种碟片固体激光器等十项专利权成果转化相关事项公示如下:

一、成果名称及简介:

该成果包含如下10项知识产权:

1)发明专利: 一种碟片固体激光器

发明人: 朱晓;朱广志;朱长虹;齐丽君

专利号: ZL200810048527.6

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了一种碟片固体激光器,其中碟片状激光晶体和激光谐振腔输出镜构成激光谐振腔,二个共轭放置的抛物面反射镜的其中一个焦点位于碟片状激光晶体内,半导体激光器叠阵发出的泵浦光先经泵浦光束准直器准直,再经过所述的二个抛物面反射镜成像到碟片状激光晶体上,最后经所述激光谐振腔形成激光输出。本发明采用半导体叠阵泵浦的方式,效率高、寿命长,设备维护方便。共轭放置的双抛物面泵浦系统,降低了对泵浦光准直度的要求,实现了泵浦光高效的成像。各次泵浦光斑形状规则对称、功率密度分布合理、每次成像光斑位置漂移小,实现了高效均匀的泵浦。设备体积较小、机械结构和调整简单、质量较轻,便于工业应用。

2)发明专利: 电光调Q激光谐振腔

发明人:朱长虹;朱晓;齐丽君;朱广志;郭飞

专利号:ZL200910272683.5

专利权人:华中科技大学

简介:本发明提供的电光调Q激光谐振腔,包括全反镜、激光介质、电光调Q晶体和输出镜,激光介质和电光调Q晶体均位于全反镜和输出镜之间,泵浦源采用侧面或端面泵浦方式,其特征在于:电光调Q晶体靠近激光介质的通光面为切割面,该切割面上镀有增透膜层,电光调Q晶体远离激光介质的通光面与所述切割面的夹角等于α90°-αα=90°-arctg(n)n为电光调Q晶体的折射率。电光调Q谐振腔内不需要插入布儒斯特起偏镜,减小了插入损耗,提高光学机械稳定性,缩短激光谐振腔长度。该自偏振电光调Q晶体可以是所有用于横向电光效应的电光调Q晶体,如BBORTPLN等。谐振腔内只存在一种偏振状态,特别适合电光调Q的要求,在实际应用中可以起到将电光调Q晶体和布儒斯特镜合二为一的作用。

3)发明专利:一种多次泵浦的碟片固体激光器

发明人:朱广志;朱晓;王海林;尚建力;朱长虹;郭飞;齐丽君

专利号:ZL201110119043.8

专利权人:华中科技大学

简介:本发明提供了一种多次泵浦的碟片固体激光器,它包括半导体激光器叠阵、泵浦光束准直系统、冷却指、激光碟片晶体、激光输出镜、抛物面反射镜和180度反射的第一、第二折叠镜,激光碟片晶体放置在抛物面反射镜的焦点处,第一、第二折叠镜均位于抛物面反射镜的反射光路上,且分别位于激光碟片晶体的两侧;半导体激光器叠阵发射的泵浦光束经过泵浦光准直器准直后进入抛物面反射镜、第一折叠镜、第二折叠镜和激光碟片晶体,经过多次泵浦,由所述激光谐振腔获得激光输出。该碟片固体激光器实现了可控的泵浦光的多次传输,泵浦光斑面积合理,功率密度分布均匀,仅需对入射泵浦光束进行简单的准直,就可以实现高功率、高效率、高光束质量的激光输出。

4)发明专利:一种电光调Q激光谐振腔

发明人:齐丽君;朱长虹;朱晓;朱广志;郭飞

专利号:ZL200910272682.0

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了一种电光调Q激光谐振腔,包括依次位于同一光路上的激光介质、电光调Q晶体和输出镜,激光介质的外端的端面上镀有激光波长的高反膜层和对泵浦光波长高透的膜层,泵浦源采用侧面或端面泵浦方式,其特征在于:所述电光调Q晶体靠近激光介质的通光面为切割面,该切割面上镀有增透膜层,电光调Q晶体远离激光介质的通光面与所述切割面的夹角等于α90°-α,其中,α=90°-arctg(n)n为电光调Q晶体的折射率。电光调Q谐振腔内不需要插入布儒斯特起偏镜,减小了插入损耗,提高光学机械稳定性,缩短激光谐振腔长度。该自偏振电光调Q晶体可以是所有用于横向电光效应的电光调Q晶体,如BBORTPLN等。谐振腔内只存在一种偏振状态,特别适合电光调Q的要求,在实际应用中可以起到将电光调Q晶体和布儒斯特镜合二为一的作用。

5)发明专利:基于离轴抛物面的碟片固体激光器

发明人:朱广志;朱晓;王海林;朱长虹;郭飞;齐丽君;尚建力

专利号:ZL201110344110.6

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了基于离轴抛物面的碟片固体激光器,它包括二个鼓形抛物面反射镜、碟片激光晶体、矫正镜和激光输出镜;二个鼓形抛物面反射镜相对放置,且底面相互平行且在同一平面,两抛物面反射镜的光轴存在一定的偏移量;碟片激光晶体一面镀有高反膜并安装在晶体支架上,另一面镀有高透膜,碟片激光晶体放置在一鼓形抛物面反射镜的焦点上或离焦处,该离焦量小于碟片激光晶体的直径;矫正镜放置在另一鼓形抛物面反射镜的焦点处或离焦处,该离焦量小于碟片激光晶体的直径。本发明多次泵浦,仅需对光线进行必要的准直,通过控制两抛物面的离轴量或碟片激光晶体与矫正镜的相对角度就可实现可控的多次泵浦,且泵浦次数得到了极大提高,更有利于实现高功率、高效率、高光束质量的激光输出。

6)发明专利:一种折叠式腔倒空电光调Q激光谐振腔

发明人:朱长虹;朱晓;齐丽君;郭飞;朱广志

专利号:ZL201010142103.3

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了一种电光调Q激光谐振腔,依次包括第一全反镜、激光介质、电光调Q晶体和第二全反镜,其特征在于:在激光介质和电光调Q晶体之间放置有折叠腔镜,折叠腔镜采用布儒斯特镜,其放置的角度使垂直于入射面的S偏振光满足全反射条件。本发明提供的谐振腔减少了腔内光学元件,避免了光学膜层的损伤,降低了插入损耗,并缩短了激光谐振腔长度。

7)发明专利:一种电光调Q开关驱动电源

发明人:郭飞;朱晓;朱长虹;朱广志;齐丽君

专利号:ZL200910272684.X

专利权人:华中科技大学

简介:本发明提供的一种电光调Q开关驱动电源,包括直流高压源,其特征在于:它还包括第一、第二限流电阻,第一、第二开关电路,以及触发电路;直流高压源、第一限流电阻、第一开关电路与触发信号构成一个退压电路,直流高压源、第二限流电阻、第二开关电路与触发信号构成另一个退压电路。本发明作为加压式电光调Q驱动电源使用时,可对激光脉冲进行斩波,压缩激光脉宽;作为两个退压式电光调Q驱动电源使用,应用于双电光调Q激光器,可将重复频率提高一倍。

8)发明专利:一种多次泵浦的碟片固体激光器

发明人:一种基于双碟片串接的激光多程放大器

专利号:ZL201410216119.2

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了一种基于双碟片串接的激光多程放大器,该放大器包括依次设置的同轴的第一、第二、第三、第四抛物面反射镜,第一、第二碟片激光晶体,第一、第二抛物面反射镜共轭放置,第三、第四抛物面反射镜共轭放置,第一抛物面反射镜表面设有泵浦光入射孔以及种子激光入射孔,且中心处镂空用于放置第一碟片激光晶体,第四抛物面反射镜中心处镂空,中心镂空处放置第二碟片激光晶体;第二、第三抛物面反射镜中心处镂空。按照本发明,能够实现增大激光的光程,从而抑制激光的自发辐射效应,达到提高输出激光的功率,提高了碟片激光晶体的等效厚度,从而泵浦光对碟片激光晶体的泵浦次数增大,提高泵浦光的吸收效率,进一步提高了输出激光的功率。

9)发明专利:一种提高激光转盘斩波调Q性能的装置及调Q激光器

发明人:朱晓;田佳;王海林;齐丽君;郭飞;朱广志;朱长虹;王珂

专利号:ZL201310667131.0

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了一种提高激光转盘斩波调Q性能的装置及包含该装置的调Q激光器,装置包括位于谐振腔内部或外部的伽利略望远镜装置以及位于谐振腔内部用于对压缩后的激光光束进行调Q的转盘斩波调Q器件。激光介质为一个时,第一伽利略式望远镜装置位于谐振腔之内,用于压缩激光光束直径,以减少Q开关时间增强调Q效果;激光介质大于一个时,第二伽利略式望远镜装置位于谐振腔之外,由各路激光谐振腔共用,用于将多路调Q激光合束,实现非相干光波叠加输出;激光介质大于一个且为偶数时,利用多面体棱镜和位于激光谐振腔内的第三伽利略式望远镜装置实现准相干光波叠加输出。实施本发明对利用斩波转盘产生窄脉冲宽度、大能量的调Q激光具有积极作用。

10)发明专利:一种双碟片串接的泵浦光多程传输系统及碟片固体激光器

发明人:朱广志;朱晓;朱长虹;邵娜;王海林

专利号:ZL201410465677.2

专利权人:华中科技大学

简介:本发明公开了一种双碟片串接的泵浦光多程传输系统,该系统包括第一离轴抛物面反射镜,第一直角反射镜组,其位于所述第一离轴抛物面反射镜的反射光路上;第一碟片激光晶体,置于第一离轴抛物面反射镜焦点处;球面反射镜,第二离轴抛物面反射镜,其与所述第一离轴抛物面反射镜相对于过所述球面镜球心的平面α对称设置;第二直角反射镜组,其位于所述第二离轴抛物面反射镜反射光路上;第二碟片激光晶体,其与所述第一碟片激光晶体相对于过所述球面镜球心的平面α对称设置;还公开了一种高功率碟片固体激光器,实现稳定的高能激光输出。

二、拟交易价格

作价投资:3000万元

三、价格形成过程

学校委托湖北三江资产评估有限公司对该项目进行资产评估,评估价值为人民币3000万元。经全体发明人同意,并与其他出资方华北(沧州)智能装备研究院有限公司协商,各方同意该成果以协议定价3000万元作价投资。

特此公示,公示期15日,自2018424日起至201858日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我办反映。

联系人:朱老师

联系电话:027-87540925

科技成果转化办公室

2018424

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