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西电韩根全教授做客第106期光电信息大讲堂

作者: 时间:2018-10-08 点击数:

2018年9月29日星期六上午,西安电子科技大学微电子学院韩根全教授接受我院王兴晟教授的邀请做客第106期光电信息大讲堂,在南五楼612室作了题为“Underlying Mechanism of Performance Improvement in Negative Capacitance FETs”的学术讲座,光学与电子信息学院的部分老师、研究生以及本科生积极参加了此次报告会。

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韩教授首先介绍了目前CMOS技术的发展以及所遇到的一些问题,指出现阶段单独依靠器件的尺寸微缩已经不能保证集成电路性能的历史性改进。在不使用新材料或新机制的情况下,难以在保持低漏电流或低功耗的同时增强驱动电流或计算速度。

接下来,韩教授分别介绍了高迁移率Ge/GeSn MOSFETs和负电容场效应晶体管两种新型的CMOS器件。韩教授还对负电容场效应晶体管(NCFET)和隧穿晶体管(TFET)两种Beyond CMOS器件进行了对比,并且从当前研究现状以及未来研究趋势着手展示了自己在这两方面的想法以及所作的一些工作。其中,重点阐述了负电容场效应晶体管的原理,并就其中的物理机制以及存在的争议展开了讨论。

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报告人介绍:

韩根全教授本科毕业清华大学,在中科院半导体研究所获得博士学位,西安电子科技大学微电子学院教授,优秀青年基金获得者,入选陕西省“百人计划”。从2008到2013年韩根全博士在新加坡国立大学Silicon Nano Device Laboratory (SNDL)实验室从事高端CMOS器件研制。韩博士在高迁移率非硅材料CMOS器件、隧穿晶体管以及负电容晶体管器件研制方面取得了国际领先的研究成果,相关研究成果被Semiconductor Today等网站多次转载。韩根全博士发表论文100多篇,在IEEE顶级会议International Electron Devices Meeting(IEDM)和VLSI Symposium on Technology (VLSI)上发表多篇文章。

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