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毕晓君

作者: 时间:2017-03-18 点击数:

姓 名:毕晓君

职称:副教授/博士生导师

专业方向:微波工程系

联系方式: bixj@hust.edu.cn

研究方向:

1. 射频、毫米波集成电路

2. 高速光通信集成电路

个人简介:

分别于2005年及2007年获得华中科技大学工学学士和工学硕士学位,2013年获得新加坡国立大学博士学位。2013年4月至2015年初在新加坡微电子研究院任职研究员(Research Scientist)。2015年初,加入华中科技大学光学与电子信息学院,任职副教授、博士生导师。

先后在中国科学院微电子研究所(2007-2008年),新加坡国立大学(2009-2013年),新加坡微电子研究院(2009-2015年初)从事CMOS/BiCMO射频,毫米波以及光通信集成电路方面的研究工作。作为主要研究人员或项目负责人,研究设计了多款60 GHz CMOS功率放大器,94 GHz BiCMOS成像系统,130 GHz BiCMOS高速通信电路,2.5 Gb/s和4×25 Gb/s CMOS跨阻放大器及阵列,10 GHz CMOS 压控振荡器以及倍频器,多款无线通信用GHz功率放大器、低噪声放大器以及混频器,传感器专用放大器、数字无线电系统中的多频多相产生电路等;其中, 在W波段辐射计集成芯片设计方面取得领先成果,在硅基上以创新性的电路结构设计实现了目前最小损耗的W波段单刀双掷开关、最高灵敏度的W波段辐射计以及最高增益的W波段单级放大器,相应成果多次报道于IEEE 微波领域顶尖期刊T-MTT和MWCL、及IEEE/IET知名期刊T-CAS II、EL等。

讲授课程:

《CMOS射频集成电路》(本科生)

《通信原理》 (本科生)

《信息技术导论》(本科生)

主持的科研项目:

1. 国家自然科学基金青年基金(资助时间:2016-2018)

2. 华中科技大学创新交叉重点团队项目-光电学院团队(资助时间:2016-2018)

3. 湖北省自然科学基金面上项目(资助时间:2016-2017)

4. 深圳市知识创新计划基础研究项目(资助时间:2017-2018)

5. 华中科技大学启动基金(资助时间:2015-2017)

获得的奖项:

1. 2015年湖北省青年科技晨光计划

2. 2015年湖北省优秀学士学位论文指导老师

3. 2014年IEEE微波与天线(MTT/AP)新加坡分会最佳学生论文奖

4. 2013年国际微波会议(IMS)学生论文决赛奖(全球20位)

5. 2010年国际微波与毫米波技术会议(ICMMT)最佳学生论文奖

学术任职:

现担任以下国际期刊的审稿人:

1. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

2. IEEE Microwave and Wireless Components Letters

3. IEEE Transactions on Circuits and Systems II

4. IEEE Transactions on Industrial Electronics

5. IEEE Transactions on Vehicular Technology

6. IET Electronics Letters

现担任以下项目的评审人:

1. 国家自然科学基金面上项目通讯评审

2. 国家自然科学基金地区项目通讯评审

3. 深圳市科创委员会项目评审

代表性论文:

1. X. J. Bi*, et al, “A Low Switching-Loss W-Band Radiometer Utilizing a Single-Pole-Double-Throw Distributed Amplifier in 0.13 μm SiGe BiCMOS,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech.,vol.64, no.1, pp.226-238, 2016.

2. X. J. Bi*, et al, “Analysis and design of gain enhanced cascade stage utilizing a novel passive compensation network,” IEEE Trans. Microw. Theory Tech., vol.61, no.8, pp.2892-2900, 2013. (Best student paper award of 2014 IEEE Singapore MTT/AP Chapter).

3. X. J. Bi*, et al, “A 19.2 mW, >45 dB gain and high-selectivity 94 GHz LNA in 0.13 μm SiGe BiCMOS,” IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol.23, no.5, pp.261-263, 2013.

4. X. J. Bi*, et al, “Passives design for a high performance W-band amplifier,” in IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., pp.1-3, Seattle, USA, Jun. 2013.(Student paper finalist)

5. Q.F. Xu, X.J. Bi*, G.A. Wu, “Ultra-compacted sub-terahertz bandpass filter in 0.13 μm SiGe,” IET Electronics Letter, vol 48, Issue 10, 2012.

6. X. J. Bi*, et al, “A 60-GHz 1-V supply band-tunable power amplifier in 65-nm CMOS,” IEEE Trans. Circuits Syst. II, Exp. Briefs, vol. 58, no.11, pp. 719–723, Nov. 2011.

7. X.J Bi*, et al; “60GHz Unilateralized CMOS Differential Amplifier,” International Conference on Microwave and Millimeter-Wave Technology, Chengdu, China. 2010 (Best student paper award)

8. X. J. Bi*, et al, “A Monolithic InGaP/GaAs HBT PA for TD-SCDMA Handset Application,” Chinese Journal of Semi-conductors, 2008, 29 (10):1868-1872 (Cover-page paper)

招生:

博士生、学术型硕士、工程硕士、本科毕业设计、大创项目、暑期实习,也欢迎相关专业的博士加入我们从事博士后研究。如感兴趣,请邮件联系毕晓君老师(bixj@hust.edu.cn)。


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