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童浩

作者: 时间:2018-07-13 点击数:

姓名:童浩

职称:副教授

职务:湖北省工程实验室主任

研究团队:信息存储材料及器件研究所(缪向水教授团队)

电子信箱:tonghao@hust.edu.cn

电话:027-87793406

办公地点:华中科技大学武汉光电国家实验室B506


l 个人简介

童浩,副教授,19867月生,2007年本科毕业于武汉大学物理学院,20123月获华中科技大学微电子学与固体电子学博士学位,论文获评2013年湖北省优秀博士学位论文,2015年入选武汉市青年科技晨光计划人才。长期从事信息存储材料及器件的研究工作,现任功能薄膜材料物理性能检测湖北省工程实验室主任,是中国材料与试验团体标准委员会基础与共性技术领域委员会委员,入选科技部国家科技项目评议库专家、国家自然科学基金通讯评议专家及湖北省科技厅专家库专家。研究方向包括低维相变材料、相变存储器及3D Xpoint存储器等,在薄膜材料热特性测试技术方面有较为深入的研究。目前作为项目负责人主持国家02重大专项子课题(共同负责人)、国家863计划课题、国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年项目、湖北省技术创新重大项目、湖北省重大科学仪器专项等,累计科研经费2479万元。在Advanced Electronic MaterialsIEEE Electron Device LettersThe Journal of Physical Chemistry CScientific Reports4篇)、Applied Physics Letters9篇)等期刊上发表SCI论文25篇,申请发明专利32项,已授权发明专利13项,其中2项授权专利以300万元公开挂牌转让,专利产品获评“湖北省十大科技事件”。在承担繁重科研任务的同时,重视教书育人,先后获评“湖北省优秀学士学位论文指导教师”、“华中科技大学教师教学竞赛二等奖”及学院“我最喜爱的教师班主任”等。


l 招生信息

团队共同培养,科研经费充足,平台条件优越,学习氛围浓厚,国际交流频繁,就业情况甚好。欢迎电子、光电、物理、材料等相关专业的学生报考!


l 项目情况

1)国家02重大专项子课题,3D X-Point存储器关键技术研究,联合负责人,2017-2019年,1600万元(共同主持)

2)国家863计划课题,抗热串扰、低电流相变存储材料及器件关键技术,负责人,2014-2016年,471万元(主持)

3)国家自然科学基金面上项目,基于GeSbTe纳米线无序度调控的非熔融相变机理及性能研究,负责人,2018-2021年,63万元(主持)

4)国家自然科学基金青年项目,纳米尺度相变记录材料的制备及相变机理研究,负责人,2014-2016年,25万元(主持)

5)湖北省技术创新重大项目,3D存储器芯片下一代技术研究,技术负责人&课题负责人,2018-2019年,160万元(主持)

6)湖北省重大仪器专项,光功率薄膜热分析仪的开发与应用,负责人,2013-2014年,100万元(主持)

7)华为公司创新研究计划项目,新型存储器技术研究,负责人,2013-2014年,20万元(主持)

8)国家自然科学基金面上项目,HfOx忆阻器的量子化电导调控研究,2017-2020年,67万元(参与,排名第2

9)国家自然科学基金面上项目,非磁性超晶格薄膜及存储单元磁阻效应及其物理机制,2015-2018年,84万元(参与,排名第2

10)湖北省科技厅研究与开发类项目,12吋异质晶圆三维集成工艺研究与开发,2015-2017年,60万元(参与,排名第3

11)华为公司创新研究计划项目,相变存储器多值存储技术研究,2013-2014年,89万元(参与,排名第3

12)华为创新研究基金,PCM领域专利技术分析,2012-2012年,36万元(参与,排名第2

13)总装备部预研项目,***存储器****2011-2015年,300万元(参与,排名第4

14)武汉新芯横向项目,共建华中科技大学-武汉新芯微电子技术中心,2011-2014年,300万元(参与,排名第3

15)国家863计划课题,存储网关键芯片与系统验证,2012-2014年,392万(参与,排名学生第2

16)国家863计划重大项目子课题,高速、低功耗相变存储器技术研究,2009-2010年,450万(参与,排名学生第1

17)国家863计划面上项目,高密度、低功耗电阻式相变存储器技术研究,2009-2010年,92万(参与,排名学生第2

18)湖北省科技攻关重大项目,相变随机存储器功能芯片研究,2008-2009年,100万(参与,排名学生第1

l 获奖情况

12017年华中科技大学光学与电子信息学院“我最喜爱的教师班主任“

22015年武汉市青年科技晨光计划

22015年年华中科技大学教师教学竞赛二等奖

32014年湖北省优秀学士学位论文指导教师

42014年华中科技大学光学与电子信息学院突出贡献奖“二等奖”

52013年湖北省优秀博士学位论文

62011年华中科技大学研究生“科技十佳“优胜奖

72009POEM国际会议最佳学生论文奖


l 代表性论文

1) Q. Lin , Y. Li , M. Xu, Q. Cheng, H. Qian, J. L. Feng, H. Tong* and X. S. Miao*, Dual-Layer Selector With Excellent Performance for Cross-Point Memory Applications, IEEE Electron Device Lett., 39(4), 496, 2018.

2) H. Qian, H. Tong*, M. Z. He, H. K. Ji, L. J. Zhou, M. Xu and X. S. Miao, Observation of carrier localization in cubic crystalline Ge2Sb2Te5 by field effect measurement, Scientific Reports, 8, 486, 2018.

3) Z. Yang, M. Xu, X. M. Cheng, H. Tong* and X. S. Miao, Manipulation of dangling bonds of interfacial states coupled in GeTe-rich GeTe/Sb2Te3 superlattices, Scientific Reports, 7, 17353, 2017.

4) H. Tong, F. Lan, Y. J. Liu, L. J. Zhou, X. J. Wang, Q. He, K. Z. Wang and X. S. Miao*, Positive dependence of thermal conductivity on temperature : the contribution of electronic and particle wave lattice thermal conductivity, J. Phys. D: Appl. Phys. 50 (35), 355102, 2017.

5) H. Qian, H. Tong*, L. J. Zhou, B. H. Yan, H. K. Ji, K. H. Xue, X. M. Cheng and X. S. Miao, Low work function of crystalline GeTe/Sb2Te3 superlattice-like films induced by the Te dangling bonds, J. Phys. D: Appl. Phys. 49(49), 495302, 2016.

6) H. K. Ji, H. Tong, H. Qian, Y. J. Hui, N. Liu, P. Yan and X. S. Miao*, Non-binary Colour Modulation for Display Device Based on Phase Change Materials, Scientific Reports, 6, 39206, 2016.

7) B. H. Yan, H. Tong*, H. Qian and X. S. Miao, Threshold-Voltage Modulated Phase Change Heterojunction for Application of High Density Memory, Applied Physics Letters, 107, 133506, 2015.

8) H. Tong, N. N. Yu, Z. Yang, X. M. Cheng, and X. S. Miao*, Disorder-induced anomalously signed Hall effect in crystalline GeTe/Sb2Te3 superlattice-like materials, Journal of Applied Physics, 118, 075704, 2015.    

9) H. Tong, Z. Yang, N. N. Yu, L. J. Zhou, and X. S. Miao*, Work function contrast and energy band modulation between amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films, Applied Physics Letters, 107, 082101, 2015.  

10) H. Tong, X. S. Miao*, Z. Yang, X. M. Cheng, Insulator-metal transition in GeTe/Sb2Te3 multilayer induced by grain growth and interface barrier, Applied Physics Letters, 99, 212105, 2011.

11) H. Tong, X. S. Miao*, X. M. Cheng, H. Wang, L. Zhang, J. J. Sun, F. Tong, J. H. Wang, Thermal conductivity of chalcogenide material with superlatticelike structure, Applied Physics Letters, 98, 101904, 2011.

12) Q. Q. Wu, M. Xu, K. L. Xu, H. Qian, H. Tong, X. M. Cheng, L. C. Wu, M. Xu,* and X. S. Miao*, Increasing the Atomic Packing Efficiency of Phase-Change Memory Glass to Reduce the Density Change upon Crystallization, Advanced Electronic Materials, 1800127, 2018.

13) J. L. Feng, M. Xu, X. J. Wang, Q. Lin, X. M. Cheng*, M. Xu*, H. Tong and X. S. Miao, Gold fillings unravel the vacancy role in the phase transition of GeTe, Applied Physics Letters, 112, 071902, 2018.

14) P. Ma, H. Tong, T. Huang, M. Xu, N. N. Yu, X. M. Cheng, C. J. Sun and X. S. Miao*, Variations of Local Motifs around Ge Atoms in Amorphous GeTe Ultrathin Films, The Journal of Physical Chemistry C, 121, 1122, 2017.

15) H. K. Ji, H. Tong, H. Qian, N. Liu, M. Xu and X. S. Miao*, Color printing enabled by phase change materials on paper substrate, AIP Advances 7, 125024, 2017.

16) D. D. Yang, H. Tong, L. J. Zhou and X. S. Miao*, Effects of Thickness and Temperature on Thermoelectric Properties of Bi2Te3-Based Thin Films, Chinese Physics Letters, 34(12), 127301, 2017.

17) F. Tong, J. D. Liu, X. M. Cheng, J. H. Hao, G. Y. Gao, H. Tong, X. S. Miao*, Lattice strain induced phase selection and epitaxial relaxation in crystalline GeTe thin film, Thin Solid Films,  568, 70, 2014.

18) Y. Li, Y. P. Zhong, J. J. Zhang, L. Xu, Q. Wang, H. J. Sun, H. Tong, X. M. Cheng and X. S. Miao*, Activity-Dependent Synaptic Plasticity of a Chalcogenide Electronic Synapse for Neuromorphic Systems, Scientific Reports, 4, 4906, 2014.

19) N. N. Yu, H. Tong, and X. S. Miao*, Structure and phonon behavior of crystalline GeTe ultrathin film, Applied Physics Letters, 105, 121902, 2014.

20) N. N. Yu, H. Tong, J. Zhou, A. A. Elbashir, and X. S. Miao*, Local order of Ge atoms in amorphous GeTe nanoscale ultrathin films, Applied Physics Letters, 103, 061910, 2013.

21) J. H. Wang, J. Zhou, W. L. Zhou, H. Tong, D.Q. Huang, J.J. Sun, L. Zhang, X.M. Long, Y. Chen, L.W. Qu, X.S. Miao*, A high speed asymmetric T-shape cell in NMOS-selected phase change memory chip, Solid-State Electronics, 81, 157, 2013.

22) X.M. Long, X.S. Miao*, J.J. Sun, X.M. Cheng, H. Tong, Y. Li, D.H. Yang, J.D. Huang, C. Liu, Dynamic switching characteristic dependence on sidewall angle for phase change memory, Solid-State Electronics, 67, 1, 2012.

23) P. Y. Long, H. Tong, and X. S. Miao*, Phonon Properties and Low Thermal Conductivity of Phase Change Material with Superlattice-Like Structure, Applied Physics Express, 5, 031201, 2012.

24) F. Tong, J. H. Hao, Z. P. Chen, G. Y. Gao, H. Tong, and X. S. Miao*, Anomalous second ferromagnetic phase transition as a signature of spinodal decomposition in Fe-doped GeTe diluted magnetic semiconductor, Applied Physics Letters, 99, 202508, 2011.

25) F. Tong, X. S. Miao*, Y. Wu, Z. P. Chen, H. Tong, and X. M. Cheng, Effective method to identify the vacancies in crystalline GeTe, Applied Physics Letters, 97, 261904, 2010.


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