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孙华军

作者: 时间:2017-03-18 点击数:

姓 名:孙华军

职称:副教授

专业方向:微电子学系

个人简介:

姓名:孙华军

职称:副教授

研究所(实验室):信息存储材料及器件研究所

职务:无

学习工作经历:

2009年1月毕业于中国科学院上海光学精密机械研究所,获得材料学专业工学博士学位。2009年2月进入华中科技大学电子科学与技术系从事教学和科研工作,讲授《固体电子学基础》本科生必修课程,所属研究团队为武汉光电国家实验室的骨干研究团队,目前从事信息存储材料及器件方面的研究工作。

研究方向、领域:

信息存储材料及器件,忆阻器材料及器件,阻变式存储器材料及器件,微纳尺度器件

主要成果:

1. SUN Huajun,HOU Lisong,WU Yiqun,WEI Jingsong,Structural change of laser-irradiated Ge2Sb2Te5films studied by electrical property measurement,Journal of Non-Crystalline Solids,354, 2008:5563~5566.

2. SUN Huajun,HOU Lisong,WU Yiqun,A feasible approach to optical-electrical hybrid data storage using phase change material,Chinese Physics Letters,25(8),2008:2915~2917.

3. SUN Huajun,HOU Lisong,WU Yiqun,Reversible resistance switching effect in amorphous Ge1Sb4Te7thin films without phase change Chinese Physics Letters,26(2),2009, 024203-1~3.

4. SUN Huajun,HOU Lisong,WU Yiqun,Laser-induced structural, electrical and optical properties evolution of phase change Ge2Sb2Te5thin films,Proc. of SPIE,Vol.7125, 71251U-1~5.

5. SUN Hua-jun,HOU Li-song, MIAO Xiang-shui,WU Yi-qun,Influences of substrate temperature on the structure,electrical and optical properties of magnetron sputtering Ge2Sb2Te5films,Rare Metal Materials and Engineering,3,2010 (In press).

6. Jin Fang,Mo Wenqin, SUN Huajun,Cheng Weiming, Simulation of giant magnetoimpedance in single layer and sandwiched thin films,Proceedings of the SPIE,Vol 7517,2009:751716-1~5.

7. Wang qing,SUN Hua-junElectrode Materials for Memristor with Ge2Sb2Te5, Journal of Electronic Materials(in press, corrsepongding author)

8. 孙华军,侯立松,吴谊群,魏劲松,激光晶化Ge2Sb2Te5薄膜的电/光性质研究,无机材料学报,23 (6) , 2008:1112-1114.

9. 孙华军,侯立松,魏劲松,无机相变信息存储材料研究新进展,激光与光电子学进展,45(4), 2008:15-24.

10. 孙华军,侯立松,用于超分辨近场结构光盘存储的掩膜材料,《材料科学与工程学报》,7(2),2009:288-291.

专利

1. 发明专利,一种基于忆阻器的范德波尔振荡器电路,申请号:20110430863.9,

2. 实用新型专利,一种频率可调的自激多谐振荡器,申请号:201220098108.5

主要科研项目:

1. RRAM设计IP和嵌入式应用验证,863主题项目子课题,238万,第一负责人

2. 新型忆阻器材料及其机理,教育部博士点基金,3.6万,第一负责人

3. 复合型忆阻器材料及其机理,校自主创新基金,5万,第一负责人

4. 忆阻器材料及其原型器件研究,科技部国际合作项目,173万,第二负责人

5. 基于忆阻的信息动态存储与获取理论及实现技术,国基金重点, 290万,第二责负人

6. SmCo5 垂直磁化膜的制备及其形成机理研究,国基金青年项目,20万,第二责负人

7. 高速、低功耗相变随机存储器技术,863计划重大项目子课题,450万,排名第11.

8. 纳米光刻机,武汉市东湖高新区设备专项,2376万,排名第6

9. 存储类芯片调研,横向项目,11万,排名第3

10. 相变存储器芯片的关键材料研究,横向项目,11万,排名第6

11. 非对称性相变存储器单元关键技术及其制作工艺研究,横向项目, 60万,排名第6

联系方式:

电话:027-87793427

Email:shj@mail.hust.edu.cn

办公地点:武汉光电国家实验室B501

华中科技大学  光学与电子信息学院  联系电话:027-87558726  邮编:430074 地址:中国•湖北省武汉市珞喻路1037号 华中科技大学南五楼六楼