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缪向水

作者: 时间:2017-03-18 点击数:

姓 名:缪向水

职称:教授(教育部“长江学者”特聘教授、国务院享受政府特殊津贴专家)

专业方向:微电子学系

个人简介:

个人简介:

微电子系系主任,信息存储材料及器件研究所所长

学习工作经历

1982 年至1986 年 华中工学院(现华中科技大学)电子材料与元器件专业本科生;

1986 年至1989 年 华中理工大学(现华中科技大学)电子材料与元件专业硕士研究生;

1994年至1996 年 华中理工大学(现华中科技大学)电子材料与元器件专业博士研究生;

1989 年至1996 年 任华中理工大学(现华中科技大学)助教、讲师、副教授;

1996 年至1997 年 任香港城市大学电子工程系副研究员、材料研究中心研究员;

1997 年至2007 年 任新加坡国家数据存储研究院高级工程师、主任工程师、4 级科学家;

2007 年至现在 任华中科技大学教授、博士生导师。

学术兼职:

中国仪表功能材料学会副理事长、中国真空学会薄膜专委会委员;

Scientific Reports(Nature出版集团)编辑、IEEE Nanotechnology Magazine杂志技术编辑;

华中科技大学校学术委员会委员、学院学术委员会副主任

学科专业/研究方向

(1) 微电子学与固体电子学专业/微电子材料与器件方向;

(2) 电子信息材料与元器件专业/信息存储材料与器件方向;

(3) 光学工程专业/光电信息存储方向

主要成果:

主要从事相变存储器、忆阻器、磁存储器、光存储等信息存储材料与器件领域的研究。近5年来主持承担了国家863重大项目子课题、863面上项目、国家国际科技合作项目、国家自然科学基金面上项目、湖北省重大科技攻关项目等15项科研项目。目前共发表论文200余篇,其中被SCI收录107篇。申请国际发明专利15项,国内专利45项。

科研获奖:

(1)“Superlattice-like rewritable phase-change optical media”, National Technology Award(Singapore) 新加坡国家技术奖(年度唯一),2004年

(2)“XXXX光盘技术研究”,国家科技进步三等奖,1998年

(3)“XX光记录材料工艺研究”,国家科技进步三等奖,1992年

(4)“XXXX光盘技术研究”,国家教育委员会科技进步二等奖,1998年

(5)“XX光记录材料工艺研究”,国家教育委员会科技进步二等奖,1992年

(6)“The properties of RE-TM magneto-optical films”,湖北省自然科学优秀学术论文一等奖,1994年

(7)“磁光记录的新电介质材料- AlSiN膜”,中国电子学会1989~1990年度受奖论文,1991年

部分代表性论文:(2010-2015)

(1) Associative Learning with Temporal Contiguity in a Memristive Circuit for Large-ScaleNeuromorphic Networks,Y Li , L Xu , Y P Zhong , Y X Zhou , S J Zhong, Y Z Hu ,L O Chua and X S Miao ,Advanced Electronic Materials. 1500125,2015 (Cover Paper)

(2)Metallic resist for phase-change lithography,Zeng BJ,Huang JZ,Ni RW,Yu NN,Wei W,Hu YZ,Li Z,Miao XS, Scientific Reports (Nature Publishing Group), volume 4, 5300, 2014.

(3) Activity-Dependent Synaptic Plasticity of a Chalcogenide Electronic Synapse for Neuromorphic Systems, Y. Li, Y. P. Zhong, J.J. Zhang, L. Xu, Q. Wang, H. J. Sun, H. Tong, X. M. Cheng, X. S. Miao, Scientific Reports (Nature Publishing Group), volume 4, 4906,2014.

(4) Ultrafast synaptic events in a chalcogenide memristor, Y. Li, Y. P. Zhong, L. Xu, J. J. Zhang, X. H. Xu, H. J. Sun, X. S. Miao, Scientific Reports (Nature Publishing Group), volume 3, 1619,2013.

(5)Transient Structures and Possible Limits of Data Recording in Phase-Change Materials Jianbo Hu, Giovanni M. Vanacore, Zhe Yang, Xiangshui Miao, and Ahmed H. Zewail, ACS Nano,VOL. 9,NO. 7,6728–6737,2015

(6) Work function contrast and energy band modulation between amorphous and crystalline Ge2Sb2Te5 films, H. Tong, Z. Yang, N. N. Yu, L. J. Zhou, and X. S. Miao, Applied Physics Letters, 107, 082101,2015.

(7)Local order origin of thermal stability enhancement in amorphous Ag doping GeTe, L. Xu, Y. Li, N. N. Yu, Y. P. Zhong, and X. S. Miao, Applied Physics Letters 106, 031904, 2015

(8) 16 Boolean logics in three steps with two anti-serially connected memristors, Yaxiong Zhou, Yi Li, Lei Xu, Shujing Zhong, Huajun Sun, and Xiangshui Miao, Applied Physics Letters, 106, 233502, 2015

(9) Continuous controllable amorphization ratio of nanoscale phase change memory cells, Q. He, Z. Li, J. H. Peng, Y. F. Deng, B. J. Zeng, W. Zhou, and X. S. Miao, Applied Physics Letters, 104, 223502, 2014

(10) Thermal dispersion and secondary crystallization of phase change memory cells, Deng Y. F.,Li Z.,Peng J. H., Liu C., Chen W.,Miao X.S., Applied Physics Letters, 103(23), 233501, 2013

(11) Local order of Ge atoms in amorphous GeTe nanoscale ultrathin films,Yu N.N.,Tong H.,Zhou J.,Elbashir A.A.,Miao X.S., Applied Physics Letters, 103(6), 061910, 2013

(12) Intrinsic memristance mechanism of crystalline stoichiometric Ge2Sb2Te5,Li Y.,Zhong Y.P.,Zhang J.J.,Xu X.H., Wang Q.,Xu L,Sun H.J.,Miao X.S., Applied Physics Letters,103(4), 043501, 2013

(13) AgInSbTe memristor with gradual resistance tuning,Zhang J.J.,Sun H.J.,Li Y.,Wang Q.,Xu X.H.,Miao X.S., Applied Physics Letters,102(18), 183513, 2013

(14) Picosecond amorphization of chalcogenides material: From scattering to ionization,Wang, P.Ju, C., Chen, W,Huang, D.Q, X. S. Miao,Applied Physics Letters,102(11), 112108, 2013

(15) Ferromagnetism and electronic transport in epitaxial Ge1-xFexTe thin film grown by pulsed laser deposition,Liu, J.D.,Miao, X.S.;Tong, F.;Luo, W.;Xia, Z.C., Applied Physics Letters, 102(10), 102402,2013

(16) Intrinsic threshold mechanism of phase-change memory cells by pulsed current–voltage characterization, Chen W, Li Z, Peng JH, Deng YF, Miao XS, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 101, Issue: 14, Article Number: 142107, OCT 2012.

(17) Amorphization and amorphous stability of Bi2Te3 chalcogenide films, Ju C, Cheng XM, Miao XS, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 100, Issue: 14, Article Number: 142114, APR 2012

(18) Insulator-metal transition in GeTe/Sb2Te3 multilayer induced by grain growth and interface barrier, Tong H, Miao XS, Yang Z, Cheng XM, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 99, Issue: 21, Article Number: 212105, NOV 21 2011

(19) Anomalous second ferromagnetic phase transition as a signature of spinodal decomposition in Fe-doped GeTe diluted magnetic semiconductor, Tong F, Hao JH, Chen ZP, Gao GY, Tong H, Miao XS, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 99, Issue: 20, Article Number: 202508, NOV 14 2011

(20) Phase-change control of ferromagnetism in GeTe-based phase change magnetic thin-films by pulsed laser deposition, Tong F, Hao JH, Chen ZP, Gao GY, Miao XS, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 99, Issue: 8, Article Number: 081908, AUG 22 2011

(21) Nonthermal phase transition in phase change memory cells induced by picosecond electric pulse, Huang DQ, Miao XS, Li Z, Sheng JJ, Sun JJ, Peng JH, Wang JH, Chen Y, Long XM, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 98, Issue: 24, Article Number: 242106, JUN 13 2011

(22) Thermal conductivity of chalcogenide material with superlatticelike structure, Tong H, Miao XS, Cheng XM, Wang H, Zhang L, Sun JJ, Tong F, Wang JH, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 98, Issue: 10, Article Number: 101904, MAR 7 2011

(23) Effective method to identify the vacancies in crystalline GeTe, Tong F, Miao XS, Wu Y, Chen ZP, Tong H, Cheng XM, APPLIED PHYSICS LETTERS, Volume: 97, Issue: 26, Article Number: 261904, DEC 27 2010

联系方式:

电话:027-87792091

Email: miaoxs@mail.hust.edu.cn

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