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李震

作者: 时间:2018-09-17 点击数:

李震

职称:高级工程师(正高),硕士生导师

研究所(实验室):信息存储材料与器件

专业方向:微电子学

研究方向:信息存储材料、器件和SOC,基于存储的计算方法和体系架构,大规模集成电路测试

联系方式:lizhen@mail.hust.edu.cn

办公地点:西一楼135


学习工作经历:

1987年毕业于华中理工大学

2000年在华中科技大学材料物理与化学专业获硕士学位

2006年在华中科技大学微电子学与固体电子学获工学博士学位

目前,在华中科技大学光学与电子信息学院微电子学系信息存储材料及器件研究所从事本科生和研究生教学、科研工作。

主讲课程:电子材料与器件测试技术,微电子封装与测试,信息薄膜理论与技术,现代集成电路测试方法

主要成果:

主要从事信息存储材料、器件和芯片研究,包括相变随机存储器、光存储、阻变随机存储器、忆阻器等,以及相应的存储器件测试技术,参与了国家863重大项目子课题,国家863面上项目,国际科技合作项目,湖北省重大科技攻关项目等。发表论文三十多篇,授权专利13项。


代表性学术论文:

(1) Teng Luo, Zhen Li, Qiang He, Xiangshui Miao. Pr-based metallic glass films used as resist for phase-change lithography. OPTICS EXPRESS, 24(6):5754-5762(2016)

(2) Wei Zhou, Zhen Li*, Qiang He, Xiang-shui Miao. Modeling of transient thermal dissipation of nanoscale phase-change memory cells in the pulse domain. International Journal of Heat and Mass Transfer, 94 :301–305 (2016)

(3)Qiang He, Zhen Li, Chang Liu, Xiang-ru Meng, Ju-hong Peng, Zhi-bo Lai and Xiang-shui Miao,Temperature dependence of SET switching characteristics in phase-change memory cells, J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (2016) 385101 (6pp)

(4) Ri Wen Ni, Bi Jian Zeng, Jun Zhu Huang, Teng Luo, Zhen Li*, Xiang Shui Miao, Exposure strategy and crystallization of Ge-Sb-Te thin film by maskless phase-change lithography, Optical Engineering 54(4), 045103 (April 2015).

(5)Zeng BJ,Huang JZ,Ni RW,Yu NN,Wei W,Hu YZ,Li Z,Miao XS, Metallic resist for phase-change lithography, Scientific Reports(Nature Publishing Group), volume 4, 5300, 2014.

(6) Q. He, Z. Li*, J. H. Peng, Y. F. Deng, B. J. Zeng, W. Zhou, and X. S. Miao, Continuous controllable amorphization ratio of nanoscale phase change memory cells, Applied Physics Letters, 104, 223502, 2014.

(7) Bi Jian Zeng, Ri Wen Ni, Jun Zhu Huang, Zhen Li*and Xiang Shui Miao, Polarization-based multiple-bit optical data storage, J. Opt. 16(2014) 125402 (7pp).

(8) Deng Y. F.,Li Z*.,Peng J. H., Liu C., Chen W.,Miao X.S.,Thermal dispersion and secondary crystallization of phase change memory cells, Applied Physics Letters, 103(23), 233501, 2013.

(9) P. Wang, C. Ju, W. Chen, D. Q. Huang, X. W. Guan, Z. Li, X. M. Cheng, and X. S. Miao, Picosecond amorphization of chalcogenides material: From scattering to ionization,Applied Physics Letters,102(11), 112108, 2013.

(10) Chen W, Li Z*, Peng JH, Deng YF, Miao XS, Intrinsic threshold mechanism of phase-change memory cells by pulsed current–voltage characterization, Applied Physics Letters, 101(14), 142107, 2012.

(11) Huang DQ, Miao XS, Li Z, Sheng JJ, Sun JJ, Peng JH, Wang JH, Chen Y, Long XM, Nonthermal phase transition in phase change memory cells induced by picosecond electric pulse, Applied Physics Letters, Volume: 98, Issue: 24, Article Number: 242106, JUN 13 2011

(12) L.W. Qu, X.S. Miao, J.J. Sheng, Z. Li, J.J. Sun, P.An, Jiandong Huang, Daohong Yang, Chang Liu, SET/RESET properties dependence of phase-change memory cell on thickness of phase-change layer, Solid-State Electronics 56 (2011) 191–195.

代表性专利:

(1)李震、缪向水、邓宇帆、刘畅,考虑热量积累效应的相变存储器单元SPICE模型系统及其应用,zl201310410747.x

(2)李震、刘畅、赖志博、缪向水、程晓敏,一种相变存储器热串扰测试方法,zl201410256649.x

(3)李震、孟祥如,基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法,zl201510462748.8

(4)李震、张乐、瞿力文、缪向水,一种相变存储器芯片测试方法及其系统,zl201110188355.4

(5)李震、缪向水、何强、邓宇帆、周伟、缪颖,一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法,zl201310698161.8


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